به دلیل اهمیت اندازه گیری ضخامت و شناسایی لایه های نازک، روش های گوناگونی برای تشخیص و تعیین این لایه ها به کار گرفته شده است. بیناب نگاری شکست القایی لیزری (libs) نیز در دهه ی اخیر به عنوان یک ابزار تشخیصی برای شناسایی لایه های نازک مورد توجه قرار گرفته است. بی نیازی از آماده-سازی نمونه، سرعت به کارگیری آن برای گستره ی وسیعی از عنصر ها، حتی از راه دور، از جمله ی برتری-های این روش به شمار می آیند. افزون براین، برخلاف سایر روش ها، برای تعیین ترکیب شیمیایی لایه های نازک به این روش، به محیط خلأ و نیز به ثابت بودن نمونه از نظر اندازه و هندسه نیازی نیست. از میان لایه های نازک، سیلیکان متخلخل با توجه به ویژگی های الکترونیکی و مکانیکی و سایر خواص فیزیکی متنوع و قابل تنظیم، امروزه در زمینه های بسیاری از جمله الکترونیک، میکروالکترونیک، کاربرد فراوان یافته اند. در این پژوهش، امکان شناسایی عناصر تشکیل دهنده سطح دو نمونه سیلیکان متخلخل با استفاده از بیناب نگاری شکسـت الـقایی لـیزری مورد بررسی قرار گرفته است. دو نمـونه سـیلیکان متـخلخل از نـوعp ، با مقاومـت ویـژه ?.cm 4/0-3/0 با استفاده از یک محلول شاملhf و اتانول، تحت جریان آندیزاسیون 2ma/cm 20 یکی در 20 دقیقه و دیگری در 30 دقیقه ساخته شده اند. بر اساس بیناب تابشی پلاسمای القایی لیزری، حضور عناصر si, h, c, o, n, f در سطح نمونه تأیید شده اند. درحالی که با روش پس پراکندگی راترفورد (rbs) عناصر h, c, si, o ,n شناسایی شده اند. نمایان شدن خط های فلوئورfi در طول موجnm 78/634 و fiii در طول موج nm 92/262 در نمونه اول و خط های فلوئور fi در طول موج های nm78/634 و nm 09/393 در نمونه دوم، به عنوان برتری به کارگیری روش درنظر گرفته می شود. شدت این خط ها با افزایش شمار پرتودهی تپ های لیزری نشان از کاهش میزان فلوئور در عمق لایه و ضخامت محدود بخش تخلخل یافته دارد.