شناخت و تبیین جایگاه امام علی (ع) در عصر سه خلیفه و بررسی مواضع وی در این دوران 25 ساله بعنوان یکی از موضوعات مهم پس از رحلت پیامبر اکرم (ص) است. اقدامات شتاب زده و حساب شده برخی از صحابه منجر به حاشیه نشینی مستحق ترین فرد جانشینی پیامبر (ص) گردید. در این پایان نامه کوشش شده است تا با مراجعه به متون اولیه تاریخ اسلام به این حادثه پرداخته شود. و برای ریشه یابی این موضوع، فرهنگ جامعه عرب شبه جزیره و خاصه فرهنگ جاهلی مورد کاوش و بررسی قرار گرفته است. به نظر می رسد عصبیت قومی، افتخارات قبیلگی، نژاد پرستی و تکیه بر نسب بعنوان مهمترین شاخصهای فرهنگ عرب قبل از اسلام که با بعثت پیامبر (ص) به طور موقت خاموش شده بود.پس از رحلت بنیانگذار مکتب، مجدداً احیاء گردید. بنابراین مواضع علی (ع) در این دوره قابل توجه است. و بر این اساس مهمترین حوادث و رویدادهای عصر هر یک از خلفاء به ترتیب توالی تاریخی و مستند به متون متقدم تبیین و سپس با عنایت به داده های تاریخی، مواضع همگرایانه و یا واگرایانه علی (ع) با آنها مورد واکاوی و بررسی قرار گرفته است.

‏ در این پایان نامه مبانی و مفاهیم اساسی مشخصه یابی پرتو لیزر شامل ویژه مدهای عرضی مشدد ‏لیزر و حل معادله پیرامحوری موج، تعریف و اندازه گیری فاکتور کیفیت و مفهوم پرتو لیزر چندمدی ‏بررسی و با توجه به عامل فاز میدان الکتریکی، وجود نقص در فاز ویژه جواب های معادله پیرامحوری ‏برای توصیف میدان الکتریکی یک پرتو لیزر تک مد کانونی شده در فواصل مختلف از کمره پرتو نشان ‏داده شد. همچنین با ذکر مواردی اعتبار جایگزینی ویژه مدهای مشدد لیزر با ویژه جواب های معادله ‏پیرامحوری بررسی و عدم امکان وجود پرتو لیزر چندمدی یا غیر معقول بودن مفهوم پرتو لیزر چندمدی ‏نشان داده شد. بنابراین بجای بسط شدت یک پرتو لیزر واقعی برحسب شدت مدها، توزیع میدان ‏الکتریکی پرتو لیزر واقعی برحسب جملات متعامد بسط داده شد و فرم کلی توزیع شدت پرتو لیزر به ‏صورت حاصلضرب یک جمله توزیع شدت گاوسین و یک توزیع وزنی از جملات متعامد محاسبه ‏شد. با بررسی این توزیع، تعبیری مناسب تر از فاکتور کیفیت پرتو لیزر و مفهوم مد گاوسین بدست آمد. ‏همچنین با توجه به این توزیع شدت کلی، روش برازش تعمیم یافته برای استفاده تجربی از این توزیع ‏برای مشخصه یابی پرتو لیزر پیشنهاد شد. در نهایت روش ساخت یک سیستم ساده برای مشخصه یابی ‏پرتو لیزر به صورت تجربی شرح داده شد و با تهیه نیم رخ عرضی پرتو خروجی یک لیزر هلیم نئون و ‏پرتو خروجی یک لیزر 4‏nd:yvo‏ دمیده شده طولی ‏q‏- سوئیچ انفعالی در هارمونیک دوم به روش ‏درون کاواکی با استفاده از این سیستم و استفاده از روش برازش، مشخصه یابی این دو پرتو لیزر به ‏صورت تجربی انجام شد. که نتایج اندازه گیری شامل موارد فاکتور کیفیت و واگرایی دو پرتو گزارش ‏شده اند. نتایج اندازه گیری های تجربی، حاکی از آن است که توزیع شدت گاوسین یک پرتو، شرط لازم ‏وکافی نیست که این پرتو، مد گاوسین است. و شکل جبهه موجی پرتو نیز نقش تعیین کننده دارد. ‏

برای دستیابی به یک لیزر پر توان و مشخصات اپتیکی مناسب، به بررسی برخی از اثرات نامطلوب حرارتی که در این لیزرها بوجود می اید نیازمند است.در لیزرهای حالت جامد در اثر دمش اپتیکی، گرادیان دمایی ایجاد می شود که این گرادیان دمایی باعث ایجاد اثرات حرارتی می شود که بطور مستقیم بر عملکرد لیزرها تاًثیر گذار است.شناخت این عوامل و تلاش در جهت رفع انها ما را در رسیدن به لیزرهای با توان بالا و کیفیت باریکه خروجی بهتر رهنمون می سازد. در این پایاننامه عدسی شدگی حرارتی و نیز تنش حاصل از حرارت بر روی بره nd:ylf در حالت فعال و تحت دمش طولی گوسی مورد بررسی قرار گرفتند. در نتیجه تنش کششی در حالت غیر فعال، احتمال شکست در بلور پدیدار شد. و با استفاده از خاصیت دو شکستی بلور می توان این احتمال را به میزان زیادی کاهش داد.

چکیده: امروزه کاربرد دارو های شیمی درمانی در بسیاری از سرطانها گریزناپذیر است . با وجود این، مهار مغز استخوان در اکثر موارد رخ داده و جان بیمار را تهدید می کند. جهت مبارزه با این عارضه ، درمان های مختلفی مانند پوشش وسیع آنتی بیوتیکی، کاربرد فاکتور تحریک کننده(گرانولوسیتی – مونوسیتی و مونوسیتی ) و اریتروپویتین تا حدودی موثر گزارش شده است . با این وجود، عوارض جانبی این داروها و هزینه سنگین درمان، کاربرد آنها را محدود کرده است . "لیزر کم توان " یکی از امیدهایی است که در این زمینه وجود دارد. امروزه بیش از سه دهه از ورود لیزرهای کم توان به دنیای پزشکی می گذرد. این لیزرها که توانی کمتر از یک وات دارند از طریق افزایش فعالیت تنفس سلولی موجب تحریک زیستی سلولها می شوند. در این مطالعه که بر روی موش سوری انجام گرفت تابش لیزر بر روی سلولهای بنیادی مزانشیمی در زمانهای مختلف 30 ،60 ،120 و 300و با دو توان متفاوت 3.09 و 2.72 میلی وات سنجش شد. بر اساس نتایج مورد انتظار لیزر باعث افزایش تکثیر سلولها گشت و تفاوت معنا داری در تست mtt مشاهده شد. در نتایج به دست آمده ، در زمانهای 120 و 300 ثانیه تابش پرتو لیزر موجب افزایش تکثیر سلولی گشت. در نتیجه می توان به استفاده از لیزر برای اثر گذاری بر روی سلولهای بنیادی مزانشیمی و تحریک تکثیر آن امیدوار بود. البته تابش به سلولهای بنیادی در موجود زنده در ورای مغز استخوان نیازمند مطالعات گسترده تری است. همچنین می توان با تغییر توانهای تابش و زمان تابش لیزر این مطالعه را به صورت گسترده تری دنبال کرد.

در این پایان نامه جابجایی گوس- هانچن در بازتاب از بلورهای فوتونیکی حاوی متامواد و مواد تک محوری مطالعه شده است. بلورهای فوتونیکی به شکل بلورهای یک- بعدی، نیمه بینهایت، و تمامی لایه ها بصورت همسانگرد، همگن و بدون اتلاف در نظر گرفته شده است. در سطح مشترک بین محیط راستگرد و متامواد امواج سطحی تولید می شوند. این امواج انرژی پرتو را در راستای سطح مشترک دو محیط جابجا می کنند به همین دلیل مرکز پرتو تابشی و مرکز پرتو بازتابی بر هم منطبق نخواهد بود، بلکه مقداری فاصله خواهد داشت .این فاصله جابجایی گوس- هانچن نام دارد. امواج سطحی پیشرو انرژی پرتو فرودی را در راستای سطح، روبه جلو انتقال می دهند، و باعث جابجایی گوس- هانچن مثبت می شوند. در حالیکه امواج سطحی پسرو انرژی پرتو فرودی را در راستای سطح، روبه عقب منتقل می کنند و باعث جابجایی گوس- هانچن منفی می شوند. در این پایان نامه به بررسی، جابجایی گوس- هانچن در بازتاب ازفصل مشترک متاماده چپگرد و محیط راستگرد، جابجایی گوس- هانچن در بازتاب از مرز محیط چپگرد و بلور فوتونیکی همسانگرد، جابجایی گوس- هانچن در عبور از بلوری حاوی مواد تک محوری، پرداخته شده است. همچنین تاثیر حضور متاماده ی ناهمسانگرد بر جابجایی گوس- هانچن در بازتاب از مرز محیط چپگرد و بلور فوتونیکی ناهمسانگرد، مورد بررسی قرار گرفته است.

برای تولید حالات در هم تنیده در اپتیک کوانتومی، می توان از فرایندهای مختلفی از جمله تبدیل کاهشی استفاده کرد. فرایند تبدیل کاهشی یک فرایند اپتیک غیر خطی مرتبه دوم می باشد که در این فرایند، درمحیط غیرخطی مرتبه دوم، یک فوتون با انرژی بالا به دو فوتون با انرژی پایین تبدیل می شود و فوتون های تولید شده، اصل پایستگی انرژی و پایستگی تکانه را برآورده می کنند. می توان بین فوتون های خروجی که به آنها فوتون های مطلوب واضافی گفته می شود، انواع مختلف در هم تنیدگی نظیردر هم تنیدگی انرژی و پلاریزاسیون نسبت داد. اگر پلاریزاسیون فوتون ها موازی باشد، در هم تنیدگی را نوع یک و اگر پلاریزاسیون فوتون ها بر هم عمود باشند در هم تنیدگی را نوع دو می-نامند. هدف از اجرای این پایاننامه این است که با روش شبه جور شدگی فازی با استفاده از کریستال های قطبیده ی متناوب غیر خطی و ترکیب کریستال های قطبیده ی متناوب خطی- غیر خطی، درهم تنیدگی بین زوج فوتون های خروجی را افزایش دهیم که مناسب ترین روش برای تولید زوج فوتون هایی با جور شدگی فازی مطلوب می باشد. بنابراین بازده زوج فوتون های تولیدی در فرایند تبدیل کاهشی را مورد بررسی قرار داده و اثر افت وخیز لایه ها دربازده خروجی ساختارهای پریودیک درفرایند تبدیل کاهشی را مطالعه می کنیم. همچنین میزان درهم تنیدگی فوتون های خروجی را با استفاده از یک مقیاس مناسب نظیر آنتروپی وان نیومن بدست آورده و نشان میدهیم که میزان درهم تنیدگی با افزایش تعداد لایه ها و اضافه کردن کریستالهای خطی بین کریستالهای غیر خطی بطور چشم گیری افزایش می یابد.

اثر تابش گاما بر میزان تلفات نور عبوری از فیبرهای نوری تک مد و چند مد، پس از پایان تابش دهی، بررسی شده است. نمونه هایی از فیبرهای سیلیکایی مورد استفاده در مخابرات، با دزهای 5/0 تا kgy30 تابش داده شده اند. تلفات نور عبوری از فیبر، قبل و یک روز بعد از تابش دهی در گستره طول موج های nm1640- 1260 در دمای اتاق اندازه گیری و با هم مقایسه شده است. نتایج به دست آمده نشان می دهد که پس از تابش دهی، میزان تلفات نور عبوری از فیبر، بیشتر شده و با افزایش دز تابشی، افزایش می یابد و همچنین میزان تلفات، در طول موج های مختلف، متفاوت است. این افزایش تلفات، می تواند به علت تشکیل نقص های ساختاری و ایجاد مراکز رنگی ناشی از تابش باشد که بخشی از نور عبوری از فیبر توسط این عیوب، جذب یا پراکنده می شوند. میزان تلفات نوری در برخی نمونه ها، چند روز پس از پایان تابش دهی نیز اندازه گیری شده است که نشان می دهد با گذشت زمان، میزان تلفات کاهش یافته و نوعی ترمیم در فیبرها ایجاد می شود. نکته جالب توجه این که مشاهده شد مدتی بعد از پایان تابش دهی، در اغلب نمونه ها، میزان تلفات عبوری نسبت به حالت قبل از تابش دهی، کم شده و در واقع افزایش بهره عبور در این نوع فیبرهای نوری صورت گرفته است.

چکیده : آنچه بخوبی شناخته شده این است که گسیل خودبخود یک اتم نه تنها به خواص سیستم اتمی تحریک شده وابسته است بلکه به خواص محیط احاطه کننده اتم نیز وابسته می باشد. از نقطه نظر محیط احاطه کننده اتمها، ساختارهای گاف باند فوتونی (pbg) چگالی حالات متفاوتی نسبت به فضای آزاد از خود نشان می دهند. مطالعه پدیده های اپتیک کوانتومی در اتمهای واقع شده در چنین ساختارهایی منجر به پیش گویی آثار جالب زیادی مثل جایگزیدگی نور و افزایش و حتی حذف کامل گسیل خودبخود و پدیده های قابل ذکر دیگری شده است. از طرف دیگر در اتمهای چند ترازی تحریک شده با میدان های نوسانی به اندازه کافی قوی، دینامیک تابشی حتی در خلاء معمولی بطور اساسی تغییر می کنند. معمولا گسیل خودبخودی ناهمدوس وغیرتداخلی در نظر گرفته می شود اما برای نوع معینی از واپاشی خودبخودی، تداخل کوانتومی اتفاق می افتد. در اثر شکافتگی آتلر- تانز هر یک از دو تراز جفت شده بوسیله میدان قوی همدوس به دو مولفه (زیر تراز) شکافته می شود که دومسیر واپاشی برای تداخل کوانتومی فراهم می آورد. در این پروژه ما طیف گسیل خودبخود وجذب یک اتم شش ترازی در بلور فوتونی حاوی نقص را بررسی می کنیم. اتم شش ترازی دارای سه تراز بالایی وسه تراز پایینی است که سه تراز بالایی، به ترتیب، با مدهای خلاء فضای آزاد ومدهای خلاء بلور فوتونی به ترازهای پایین جفت شده اند. این گذارها منجر به دو نوع تداخل کوانتومی می شوند. ما اثر این دو نوع تداخل کوانتومی و مد نقص در ذخیره ساز تغییر یافته را روی طیف جذب وگسیل خودبخود اتم مطالعه می کنیم.در این مدل مشاهده می شود وقتی بلور فوتونی فاقد مد نقص است سه نوع صفر در طیف گسیل (خط تاریک) و طیف جذب (شفافیت) وجود دارد. در نوع اول، دو صفر در فرکانس لبه های باند در بلورهای فوتونی همسانگرد بوجود می آید. در نوع دوم وقتی تداخل کوانتومی همزمان در دو گذار اتفاق می افتد، یک صفر در فرکانس میانی ترازهای بالایی ظاهر می شود. در نهایت وقتی تداخل کوانتومی فقط در گذار جفت شده با مدهای خلاء فضای آزاد اتفاق می افتد یک صفر در طیف دیده میشود که ما آن را صفر نوع سوم می نامیم. نشان داده می شود که نوع اول ناشی از تکینگی در تبدیل لاپلاس تابع گرین تاخیری است که معادل با چگالی حالات بلور فوتونی همسانگرد است و تداخل کوانتومی همزمان، علت صفر نوع دوم و نهایتا علت صفر نوع سوم، تداخل کوانتومی در حضور چگالی حالات بلور فوتونی است. در حضور مد نقص به این صفرها افزوده می شود که یک نوع صرفا ناشی از حضور مد نقص است و نوع دیگر وابسته به تداخل کوانتومی در حضور مد نقص می باشد.

در میان فازهای مختلف پایدار و فراپایدار شیشه سرامیک سیستم (las) li2o-sio2-al2o3، فاز فراپایدار محلول جامد ?-کوارتز ضریب انبساط حرارتی تقریبا برابر با زمینه ی شیشه ای و قابلیت تبلور در ابعاد کوچکتر از طول موج نور مرئی را داراست. اصطلاحا شیشه سرامیک ها ی حاوی فاز محلول جامد ?-کوارتز را شیشه سرامیک های اپتیکی دقیق می نامند. از این نوع شیشه سرامیک ها در کاربردهایی نظیر فوتونیک، ماده ی زمینه ی لیزر های حالت جامد، تقویت کننده های نوری و غیره استفاده می شود. هدف از این تحقیق، بهینه سازی شرایط تبلور سیستم las در حضور جوانه زاهای مختلف به منظور دستیابی به شیشه-سرامیک های شفاف با بازده اپتیکی بالاست. بر همین اساس و با فرض مناسب بودن نانوبلورهای محلول جامد ?-کوارتز به منظور تولید شیشه سرامیک های شفاف، تلاش شده است تا شرایط بهینه تبلور در حضور آلاینده های مختلف بررسی گردد. درنهایت با استناد بر روش های طیف سنجی جذبی خواص اپتیکی قطعات شیشه سرامیک شفاف، مورد بررسی قرار گرفت. پس از انتخاب ترکیب پایه ی مناسب با توجه به قابلیت تولید فازمحلول جامد ?-کوارتز، مواد اولیه در دمای حدود ?c 1400 ذوب و ریخته گری شده و سپس تحت فرآیند جوانه زنی و رشد قرار گرفتند. پارامترهای موثر بر جوانه زنی و رشد مانند دما و زمان تبلور، میزان و نوع افزودنیهای y2o3، ceo2 و cr2o3 مورد بررسی قرار گرفتند. بررسی های فازی و تبلور ساختاری توسط الگوهای xrd، بررسی رفتار حرارتی و سینتیک بوسیله آنالیز حرارتی dta و بررسی مرفولوژی ساختاری بوسیله ی میکروسکوپ sem مورد بررسی قرار گرفتند. همچنین تلاش شد تا خواص اپتیکی و اسپکتروسکوپی نمونه های شیشه ای و شیشه سرامیکی توسط طیف های جذبی uv-vis و ftir مورد بررسی قرار گیرد. نتایج این پژوهش بیانگر این حقیقت می باشد که در تمامی نمونه ها و در حضور تمامی افزودنی های ذکرشده، فاز محلول جامد ?-کوارتز قابلیت تبلور را داراست. به هر حال، در نمونه های حاوی y2o3 و cr2o3 به دلیل رشد بیش از حد بلورهای محلول جامد ?-کوارتز، قابلیت دستیابی به شیشه سرامیک های شفاف کاهش می یابد. این در حالی است که افزودنی ceo2 حتی تبلور را به تعویق انداخته و شرایط تولید شیشه سرامیک های شفاف را مطلوب تر می سازد. همچنین از لحاظ اپتیکی، باند ممنوعه ی نمونه های شیشه ای و شیشه سرامیکی با افزایش مقدار افزودنی و بلورینگی مواد، کاهش یافته و نیمه هادی های آمرف و یا قسمتی آمرف تولید شدند.

چکیده: در سالهای اخیر بلورهای فوتونی کاربری های زیادی پیدا کرده اند. این بلورها به دلیل دارا بودن ساختار متناوب خواص جالبی در زمینه های مختلف اپتیکی از خود نشان می دهند. علاوه بر ساختارهای متناوب، ساختارهای شبه متناوب هم خواص مشابهی از خود بروز می دهند. از جمله مهمترین ساختارهای شبه پریودیک می توان به ساختارهای فیبوناچی ،تو- مورسو دو دورهای اشاره کرد.در این پروژه خواص اپتیکی خطی و غیر خطی ساختار های لایه ای فیبوناچی مورد مطالعه قرار گرفته است. خواص اپتیکی خطی و غیر خطیاز قبیل ضریب تراگسیل، گاف باند فوتونیکی و دو پایداری اپتیکی مورد مطالعه قرار گرفت. در این راستا فرض کردیم لایه های تشکیل دهنده ساختاراز جنس مواد دی الکتریک معمولییا فرامواد باشند. فرامواد به دلیل داشتن ضریب شکست منفی خواص بسیار جالبی را در بررسی ضریب تراگسیل و خواص غیرخطی از خود بروز می دهند. در بررسیخواص غیر خطی نیز فرض شده است که جنس یکی از دو لایه تشکیل دهنده ساختار، غیر خطی باشد. در کنار این مطالعات،ویژگی های اپتیکی ساختارهای پریودیکنیز بررسی و با داده های بدست آمده از مطالعه ساختارهای شبه متناوب مقایسهشدند. روش مورد استفاده در بررسی خواص اپتیکی خطی و غیر خطی ساختارهای ذکر شده ، روش ماتریس انتقال می باشد. در نهایت نشان داده شد که این بلورهای فوتونی دارای گاف باند تمام سویه ای در ناحیه تک منفی هستند که با افزایش شماره مولد رشته فیبوناچی این گاف باند به گاف باندها جدیدی تقسیم می شود. به عبارت دیگر ساختار مورد نظر به یک فیلتر چند کاناله تمام سویه در ناحیه تک منفی تبدیل می شود. از طرفی نشان دادیم که این ساختارها در برخی شرایط رفتار دوپایداری را از خود بروز می دهند.

چکیده: استفاده از تابش های نوری مختلف در صنعت غذا در جهت محافظت آن به عنوان یک تکنولوژی جدید مطرح بوده و این روش در غیر فعال سازی شمار زیادی از میکروارگانیسم ها به ویژه اغلب میکروارگانیسم های پاتوژن عامل عفونت و مسمومیت زای حاصل از غذا بسیار مناسب می باشند، با این وجود تأثیر تابش های مختلف بر خصوصیات فیزیکو شیمیایی غذا و اجزاء آن از چالش های مهم کاربرد این تیمار در صنایع غذایی می باشد. در مطالعه حاضر اثرات تابش لیزرهای موج پیوسته در محدوده مرئی بر خصوصیات فیزیکوشیمیایی پروتئین های سفیده تخم مرغ مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج حاصل از تأثیر تابش لیزرهای محدوده ی مرئی در حداکثر قدرت و در بالاترین دوره زمانی بکار رفته (180 دقیقه) با استفاده از ارزیابی الکترفورز نشان داد که هیچ گونه تغییری در خصوصیات ساختمانی پروتئین های سفیده ی تخم مرغ وجود نداشته و همچنین اثرات نامطلوبی در خصوصیات ارگانولپتیکی سفیده تخم مرغ مشاهده نشد. در ارزیابی مقادیر ph نیز هیچ گونه اختلاف آماری معنی داری ما بین نمونه های کنترل و تیمارهای صورت گرفته در این مطالعه مشاهده نشد.

روش های مختلفی برای به دست آوردن ساختار باند بلورهای فوتونی وجود دارد که در فصل اول به روش هایی مانند ماتریس انتقال، روش بسط بر حسب امواج تخت و روش تفاضلات متناهی حوزه ی زمان (fdtd) اشاره کرده ایم و در فصل دوم، روش محاسبه ی گاف باندهای یک بلور فوتونی را با استفاده از روش ضرایب فرنل به طور مفصل شرح داده ایم و سپس در فصل سوم، نتایج حاصل را با نتایج به دست آمده از روش ماتریس انتقال مقایسه نموده ایم.

تک رنگ ساز مجهز به توری پراش، معمولا به عنوان ابزاری سودمند برای طیف نگاری و جدا سازی خطوط طول موجی متفاوت گسیل شده از یک چشمه ی نوری در آزمایشگاه های طیف نگاری مورد استفاده قرار می گیرد. در این نوع تک رنگ ساز معمولا پرتو نورانی پس از ورود از یک شکاف توسط یک آینه ی مقعر روی توری پراش متمرکز شده و پس از پراش، توسط آینه ی مقعر دیگر در شکاف خروجی متمرکز می شود که با دوران توری پراش می توان طول موج متناظر با زاویه ی پراش از توری را در موقعیت شکاف خروجی قرار داد. در مواردی که چشمه ی نور دارای توزیع طول موجی پیوسته و یا تعداد خطوط زیادی در محدوده ی طیفی کوچکی باشد، پرتو پراش یافته در ناحیه ی شکاف خروجی شامل خطوط یا یک منطقه ی باریک طیفی می باشد که استفاده از دیود نوری در سطح خروجی مناسب نبوده و نیاز به استفاده از یک آرایه ی ccd می باشد. در این پایاننامه با استفاده از ccd و یک تک رنگ ساز مدل jobin hr-320 توانستیم بدون اثر پراش در محل شکاف خروجی، تابع توزیع طول موجی را در گستره ی ccd بدست آورده و دقت اندازه گیری تک رنگ ساز را افزایش دهیم. سپس با تابش چشمه های نوری مختلف و ارتباط برقرار کردن ما بین تابع مکانی شدت و طول موج متناظر، تابع طیفی گستره ی طول موجی چشمه را تعیین نماییم. همچنین با توجه به اینکه تفاوت تک رنگ ساز وطیف نگار در نوع آشکارسازی می باشد، با نصب ccd بر روی تک رنگ ساز زمینه سازی مناسبی جهت تبدیل تک رنگ ساز به طیف نگار صورت پذیرفت.

در ا?ن تحق?ق س?ستم رمزنگاری تصو?ر رنگ? ارائه شده به وس?له liu وهمکاران وهمچنین سیستم رمزنگاریwei وهمکاران مورد بررس? و تحل?ل قرارگرفته است و اشکا?ت ونقا?ص? را که درپ?ادهسازی ا?ن دو الگور?تم وجود دارد و ?ا کارا?? وامن?ت آنها را تهد?د م?کند، تصح?ح کرده و درادامه با پ?ادهسازی الگور?تمهای اص?ح شده و انجام آزمونهای استاندارد ارز?اب? امن?ت و کارا??، از امن?ت و کارآمدی الگور?تمهای اص?ح شده اطم?نان م??اب?م.با آنالیز الگوریتم liu به این نتیجه می رسیم که الگوریتم در مقابل تغییر کلید حساسیت نشان نمی دهد و در برابر حملات تفاضلی نیز ضعیف عمل می کند که با اصلاح الگوریتم این اشکالات رفع می شوند همچنین با بررسی الگوریتم wie نتیجه می گیریم که پیاده سازی آن امکانپذیر نیست که با تغییرات که در عملیات جمع تعریف شده در مقاله وجود دارد این اشکال هم رفع می شود.در نها?ت، الگور?تم رمزنگاری جد?دی با استفاده از توال? و س?ستم لورنز و نگاشت لجست?ک پ?شنهاد شده است که به خوب? آزمونهای استاندارد ارز?اب? dna امن?ت و کارا?? را م?گذراند. ع?وه بر امن?ت مز?ت د?گر الگور?تم پ?شنهادی، سرعت اجرای آن نسبت به الگور?تمهای اص?حشده قبل? است. همچن?ن به علت استفاده از دو نگاشت آشوب م?توان قسمت?ازاجرای الگور?تم را به صورت موازی انجام داد که هم?ن باعث م?شود زمان اجرای الگور?تم بس?ارکاهش یابد.

لیزرهای دمشی دیودی کاربرد فراوانی در تحقیقات علمی، فرآیندهای صنعتی، پزشکی و نظامی پیدا نموده اند. به دلیل کارایی بالا و بسته هایی با قابلیت ترکیبی و کیفیت پرتو مناسب، لیزرهای حالت جامد با دمش طولی بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. با توجه به ملزومات توان خروجی لیزر و انتخاب پیکربندی دمش، طراحی های نوری متفاوتی برای انتقال انرژی از منبع نوری به ماده فعال در نظر گرفته می شود. در لیزرهای دیودی، انتقال پرتو نور به صورت دمش عرضی، طولی و جانبی انجام می گیرد. امروزه به دلیل کاربرد فراوان لیزرهای توان بالا در صنعت، مطالعه روی اثرات حرارت جذب شده در محیط های لیزری اهمیت پیدا کرده است. گرمای ایجاد شده در محیط بلور از محدودیت های اساسی بر سر راه افزایش توان لیزرها می باشد. زیرا ایجاد توان های بالا منجر به ایجاد تنش های گرمایی شدید، دوشکستی تنشی و عدسی شدگی گرمایی در محیط بلور لیزر شده و منجر به کاهش کیفیت پرتو خروجی و یا شکست محیط می گردد. در این پژوهش تحلیل زمانی حرارتی - سازه ای یک بره nd:yag تحت دمش طولی پیوسته و ضربانی، به صورت گذرا، با استفاده از روش اجزاء محدود انجام خواهد شد. روی سطوح جانبی بزرگ بره جریان آب برقرار است که وظیفه اش خنک نمودن گرمای تجمع یافته حاصل از جذب پرتوهای دمشی می باشد. از طریق روش های آنالیز میدان های جفت شده حرارت - سازه، توزیع زمانی و مکانی دما و تنش در محیط لیزر محاسبه شده است. در تحلیل های مربوط به دمش طولی پیوسته، توزیع دما و تنش از شروع دمش تا حالت پایا تعیین گردیده و سپس مقادیر حداکثر تنش و دمای ایجاد شده در بره ای که تحت تأثیر دمش طولی پیوسته و ضربانی قرار دارد، محاسبه گردیده و با توجه به مقدار بیشینه تنش محاسبه شده برای توان های دمشی مختلف، میزان حداکثر توان دمشی که منجر به شکست بره می شود محاسبه شده است. در نهایت با توجه به توزیع دمایی و تنش در محیط لیزر، عدسی شدگی، فاصله کانونی و دوشکستی محیط بره ارزیابی گردیده است.

فناوری اپتیک فعال نقش موثری را، در پیشرفت تلسکوپ¬های بازتابی بر عهده دارد. این فناوری با تقلیل اثرات ناشی از عوامل خارجی همچون گرانشی، گرمایی و ... امکان ساخت تلسکوپ¬های با قطربزرگ را فراهم می¬سازد. استفاده از این فناوری، دست¬یابی به سامانه¬های با کیفیت بالا که به¬عنوان یک ضرورت در طراحی سامانه اپتیکی مطرح¬اند را امکان¬پذیر می¬سازد. تصویری با کیفیت بالا توسط سامانه اپتیکی، زمانی ایجاد می¬شود که میزان ابیراهی¬ها در آن به حداقل رسیده باشند. برای این منظور سامانه اپتیکی مورد نظر را توسط نرم¬افزار اسلو شبیه¬سازی و سپس با استفاده از روابط جمع سیدل، میزان ابیراهی¬ها را در سطوح اپتیکی محاسبه کرده¬ایم. پس از آن با به¬دست آوردن میزان تغییرات لازم بر روی سطوح اپتیکی، تغییرات را در نرم¬افزار اعمال کرده و جبهه موج تشکیل شده به¬وسیله آرایش اپتیکی را، مورد بررسی و مطالعه قرار دادیم. برای مطالعه جبهه موج از چندجمله¬ای¬های زرنیک استفاده کرده و کیفیت تصویر تشکیل شده را توسط طرح نقطه¬ای، منحنی¬های برخورد پرتو و تابع پخش¬شدگی مورد سنجش قرار دادیم. با بررسی مکانیزم کاهش ابیراهی¬ها و افزایش کیفیت تصویر تشکیل یافته، از طریق روش-های مذکور که کارآیی اپتیکی سامانه را بیان می¬کنند، توانستیم بدین ترتیب برای طراحی بهینه سامانه¬های اپتیکی بهره¬برداری کنیم.

با توجه به اهمیت اقتصادی متابولیت های ثانوی و نیز محدود بودن گونه های گیاهی در رویشگاه های طبیعی آن‎ها، روش کشت سلول، راه مناسبی برای تولید ترکیبات شیمیایی ارزشمند می‎باشد. بعضی از گونه ها و واریته های سیب استعداد و توانایی بالایی در تولید آنتوسیانین در اندام های خود دارند. آنتوسیانین ها متعلق به خانواده ترکیبات فلاونوئیدی بوده و به دلیل داشتن خاصیت آنتی اکسیدانی دارای اهمیت هستند. عوامل مختلفی بر تولید درون شیشه ای آنتوسیانین تاثیر می گذارند و جهت تولید بالای آن، بهینه سازی هر یک از این عوامل ضروری می باشد. یکی از مهمترین این عوامل نور است که به عنوان فاکتور اساسی در تولید بسیاری از متابولیت های ثانویه از جمله آنتوسیانین ها در کشت سلول های گیاهی تاثیر گذار است. در این راستا، لیزر به دلیل داشتن ویژگی های منحصر بفرد می تواند اثرهای جالبی بر این فرایند بیولوژیک داشته باشد. در این پژوهش به منظور بررسی اثر ترکیب شدت های مختلف نورهای لیزری آبی و قرمز بر بیوسنتز آنتوسیانین و رشد سلول در کشت سوسپانسیون سلولی سیب، 18 تیمار در قالب طرح کاملا تصادفی با 3 تکرار اعمال گردید. نتایج نشان داد که بیشترین تولید آنتوسیانین مونومریک و کل در تیمارهای b4r3وb4r4به دست آمد. تیمار ترکیبی لیزرهای آبی و قرمز،باعث افزایش چشمگیری در وزن تر و خشک سلول های سوسپانسیونی سیب شد.بیشترین وزن تر و خشک سلول ها در تیمار r4b2 بدست آمد. صفت حجم سلولی(cvs) تحت تاثیر تیمارهای ترکیبی لیزر های آبی و قرمز قرار نگرفت.

نانوذرات آهنربای طبیعی به خاطر وجود خواص مغناطیسی منحصر به فرد و به دلیل وجود یک گاف باند باریک (آهنربای طبیعی یک نیمه رسانا است) اخیرا بسیار مورد توجه قرار گرفته¬اند. از خواص مغناطیس نوری نانوذرات آهنربای طبیعی می¬توان به محدود کننده های نوری و سوئیچ های اپتیکی تحت تاثیر میدان های مغناطیسی اشاره کرد. پدیده اپتیکی اشباع جذب منجر به کاربرد¬های زیادی خواهد شد، چرا که مهمترین پارامتر برای اشباع جذب محدوده طول موجی است. هنگامی که باریکه ی لیزری درون محیط غیر خطی عمل میکند، به چند دلیل ضریب شکست تغییر می کند و مکانیزم های مسبب این تغییر در ضریب شکست یکسان نیستند. در پدیده شکست نور ، تغییر ضریب شکست ماده با شدت نور مرتبط نیست. در حالیکه در اثر کر اپتیکی، ضریب شکست متناسب با شدت نور است، که در سوئیچ¬های اپتیکی انفعالی و محدود کننده های نوری رایج هستند. برای بررسی اشباع جذب و ضریب شکست غیرخطی از روش متداول جاروب-z استفاده می¬شود. در این پژوهش با بررسی تجربی مشخصه¬های اشباع جذب نانوذرات فریت در محیط پلیمر pmma مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. در این پژوهش ما خواص غیرخطی مربوط به نانوذره فریت در محیط پلیمر pmma را به طور تجربی با استفاده از روش جاروب-z آزمایش کرده، و برای درصد وزنی های مختلف نانو ذره فریت این خواص را محاسبه و مقایسه کردیم. نتایج حاکی از این بود که با افزایش درصد وزنی نانوذره فریت غیرخطیت نمونه مورد نظر افزایش پیدا می کند.

دمش نوری در بلور لیزرهای حالت جامد باعث تولید گرما می شود. غیر یکنواختی دمش و خنک¬سازی سطح جانبی بلور باعث ایجاد گرادیان گرمایی در داخل بلور لیزری می¬شود. این گرادیان گرمایی باعث تغییرات ضریب شکست با دما در داخل میله، ایجاد تنش های مکانیکی در داخل میله و تحدب سطوح انتهایی میله می¬شود که این تغییرات باعث کاهش کیفیت باریکه خروجی لیزر، تغییر پایداری مشدد وکاهش راندمان عملکرد لیزر می-شود . لیزرهای حالت جامد با کیفیت باریکه¬ خوب کاربردهای فراوانی در صنعت، فعالیت¬های نظامی، پزشکی و تحقیقات علمی دارند. کیفیت باریکه¬ لیزرهای حالت جامد به شدت تحت تاثیر اثرات حرارتی ایجاد شده در میله لیزری قرار می¬گیرد بنابراین اثرات حرارتی، عملکرد لیزرهای حالت جامد را به طور قابل ملاحظه¬ای پایین می¬آورد. محاسبه دقیق این اثرات برای طراحی یک لیزر ضروری است . در این پایان¬نامه با استفاده از روش تداخل سنجی توزیع دمایی در داخل میله لیزری نئودیمیوم یاگ را بدست می¬آوریم . آرایش تجربی مورد نظر ، آرایش تداخل سنج ماخ زندر می¬باشد. با توجه به نتایج تجربی بدست آمده از روش تداخل سنجی ملاحظه می¬شود که در میله گرادیان گرمایی به وجود می¬آید. که در این تحقیق نمودار اختلاف دمای ایجاد شده در میله لیزری برحسب زمان را ارائه دادیم.

در سال های اخیر بلورهای فوتونی به خاطر خواص جالبشان در کنترل انتشار امواج الکترومغناطیسی مورد توجه زیادی قرارگرفته اند. بلورهای فوتونی از لایه های متناوب از مواد که ثابت دی الکتریک آنها باهم متفاوت هستند، تشکیل شده است. مشخصه ی اصلی بلورهای فوتونی، دوره ای بودن ثابت دی الکتریک در آنهاست. این ویژگی منجر به ایجاد نوار ممنوعه ی فرکانسی در بلور می شود، بطوریکه امواج الکترومغناطیسی ای که با فرکانس منطقه ی ممنوعه تابش می شوند، قادر به عبور از بلور نمی باشند. با تغییر دادن پارامترهای فیزیکی نظیر ثابت دی الکتریک و ضخامت لایه ها، می توان یک نقص بلوری ایجاد کرد. وجود نقص در بلورفوتونی موجب ایجاد مدهای نقص در داخل نوار ممنوعه ی بلور می گردد. دراین پروژه، ما یک بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایه ی نقص متشکل از منشور دوتایی طراحی کرده ایم و خواص انتشاری آن را با استفاده از روش ماتریس انتقال مطالعه نمودیم. نشان می دهیم که مولفه ی فرکانسی خروجی از این ساختار، بستگی شدیدی به مکان باریکه ی فرودی دارد. زیرا، راه نوری، وابسته به مکان در منشورهاست. لذا این ساختار می تواند به عنوان یک فیلتر با خروجی وابسته به مکان بکار رود.

دمش دیودی به علت دارا بودن مزیت¬های فراوان مانند بازده بالا و کیفیت بالای پرتو، نسبت به دمش¬لامپی بیشتر مورد استفاده قرار می¬گیرد. این نوع دمش به صورت طولی و عرضی می¬باشد که برای دست¬یابی به لیزرهای توان بالا از سیستم دمش¬عرضی استفاده می¬شود و دمش طولی، برای¬ دست¬یافتن به لیزرهایی با بازدهی و کیفیت بهتر پرتو مناسب می¬باشد. امروزه به دلیل کاربرد فراوان لیزرهای توان بالا، مطالعه اثرات حرارت جذب شده در محیط¬های لیزری اهمیت پیدا کرده است. گرمای ایجاد شده درمحیط بلور از محدودیت¬های اساسی برای افزایش توان لیزر¬ها می¬باشد زیرا ایجاد توان بالا منجر به ایجاد تنش حرارتی، عدسی¬شدگی و دوشکستی در محیط لیزر شده و منجر به کاهش کیفیت پرتوخروجی و یا شکست محیط می¬شود. در این تحقیق یک تحلیل حرارتی-سازه¬ای بر روی بره¬ای از بلور nd:yag تحت دمش¬عرضی پیوسته دیودی 808 نانومتر با استفاده از نرم¬افزار اجزاء محدود انسیس بررسی شده است. حداکثر تنش و دمای ایجاد شده در بره محاسبه گردیده و با توجه به مقدار بیشینه تنش بدست آمده برای توان¬های دمشی مختلف، میزان حداکثر توان دمشی که منجر به شکست بره می¬شود، محاسبه شده است. بیشینه توان دمشی شکست بلور 435 وات بدست آمده است. در انتها با توجه به توزیع دمایی و تنش در محیط لیزر، دوشکستی القا شده در بره تعیین شده است. تغییرات دوشکستی در بلور پایین بوده و نتایج حاکی از این است که بلور در توان¬های بالا همچنان همسانگرد باقی می¬ماند.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.