در سالهای اخیر ، رشد و توسعه تجهیزات مخابرات سیار و سیستم های قابل حمل سبب شده محققان و طراحان rf بر روی مدارات با ولتاژ و توان مصرفی کم تمرکز بیشتری داشته باشند. امروزه اکثر سیستم ها به صورت بی سیم می باشند و کاهش توان مصرفی امری ضروریست که سبب افزایش طول عمر باطری می شود. یکی از مهمترین بخش های گیرنده rf میکسرمی باشد. مهمترین ویژگی میکسر بهره تبدیل بالا و iip3 مناسب می باشد. برای سیستم های بی سیم با برد کم مثل wlan، طول عمر باطری اهمیت بیشتری دارد. در این پروژه مداراتی برای میکسرهایی با ولتاژ و توان مصرفی کم طراحی و شبیه سازی شده است. در ساختار اول ورودی های مدار به طور همزمان به یک طبقه داده شده اند. سیگنال lo به صورت همزمان به گیت و بدنه ترانزیستور اعمال شده و ورودی rf به سورس همان ترانزیستور اعمال شده است. به جهت افزایش گین، از یک طبقه سورس مشترک که از تکنیک dtmos بهره می برد، در خروجی استفاده شده است. این تکنیک بر روی هر دو ساختار پیاده سازی شده است.همچنین در هر دوطرح از ساختار گیت مشترک برای دستیابی به کاربردهایی با پهنای باند وسیع استفاده شده است. ساختارهای جدید معرفی شده تنها با ولتاژ مصرفی 0.5 ولت کار می کنند و در نتیجه توان مصرفی مدار بسیار کاهش پیدا کرده است. همچنین با بکارگیری روش خطیسازی، خطسانی مدارات میکسربهبود یافته است. مدارات در نرم افزار ads طراحی و شبیه سازی شده اند.