سلول های خورشیدی بر پایه ی سیلیکون بلوری بدلیل بازده زیاد و سادگی طراحی و ساخت همچنان از پرکاربردترین روش های ساخت سلول های خورشیدی می باشند. در این پایان نامه شبیه سازی پنج مدل از سلول خورشیدی سیلیکونی بدون لایه ی غیرفعال و با غیرفعال سازی لایه ی پشتی بوسیله ی لایه ی نازکی از سیلیکون کربید بی شکل (a-sic)، سیلیکون بی شکل و دی اکسید سیلیکون انجام شده و مشخصه های آن محاسبه و مورد مقایسه و بررسی قرار گرفته شد. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که فرآیند غیرفعال سازی موثر پشت با لایه ی غیرفعال سیلیکون کربید بی شکل (لایه ی passdop) و امیتر سیلیکون بی شکل علاوه بر اینکه باعث تشکیل اتصالی با کیفیت بهتر شده، پارامترهای سلول را نیز بهبود داده است. برای چنین سلولی ضریب پرشدگی (73/83%= ff)، بازدهی (63/26%=?) و بازتابندگی 91% محاسبه شده است که نسبت به سلول بدون لایه a-sic افزایش خوبی را نشان می دهد. بازدهی کوانتومی عالی در محدوده nm500 تا nm1000 براساس اتصال و غیرفعال سازی جدید با استفاده از لایه های passdop بدست آمد. همچنین سرعت بازترکیب سطحی بین نقاط اتصال به عنوان یک پارامتر کلیدی در فرآیند انتقال حامل های تولید شده به خارج از سلول بازای 500 میکرومتر فاصله ی بین نقاط اتصال به کمتر از cm/s1600 و بازای 20 درصد از سطح تحت آلایش لیزر به کمتر از cm/s7 رسیده است.