خواص منحصر به فرد نیمه هادی ها به وسیله ی شکل و اندازه ی آن ها کنترل می شود. بنابراین، انتخاب یک روش مناسب و ساده برای تهیه ی آن ها با اندازه و شکل های متفاوت می تواند بسیار حائز اهمیت باشد. نیمه هادی های cuins2(cis)، cu2s و agins2(ais) به ترتیب باندگپ برابر 5/1، 2/1 و ev 9/1 دارند که در رنج مناسب برای جذب طول موج های خورشید قرار دارند و بنابراین از معروف ترین ترکیبات برای کاربردهای فوتوولتائیک هستند. به این دلیل، در این پروژه سنتز نانوساحتارهای cis، cu2s و ais با استفاده از امواج مایکروویو و مافوق صوت انتخاب شد. در این بررسی سعی شد از پیش ماده های جدید استفاده شود. همچنین اثر پارامترهای مختلف مانند نوع منبع سولفید، توان و زمان مایکروویو و التراسونیک، غاظت و حلال بر اندازه و مورفولوژی نانوساختارها بررسی شد. محصولات به دست آمده توسط دستگاه های ft-ir، پراکندگی اشعه ی x (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و فوتولومینسانس (pl)، طیف سنجی فوتوالکترون با اشعه ی x (xps) و تفرق انرژی اشعه ی ایکس (edx) شناسایی شدند. نتایج نشان دهنده ی سنتز نانوساختارهایی با اندازه ی کوچک و اشکال متنوع بود که قابلیت بالقوه برای کاربردهای متفاوت را دارا هستند. با روش دکتر-بلید لایه ی نازکی از نانوساختارهای تهیه شده فراهم گردید و سلول خورشیدی از لایه های شیشه-fto/ نیمه رسانای نوع /p نیمه رسانای نوع n/پلاتین/ fto-شیشه ساخته شد. در پایان، مشخصه ی این سلول ها مورد محاسبه قرار گرفت و رفتار لایه های نازک تهیه شده از نانوساختارها، در سلول های خورشیدی مورد مطالعه قرار گرفت.