در پژوهش حاضر نانوذرات ابرپارامغناطیس مگنتیت با استفاده از نمک های fecl2.4h2o و fecl3.6h2o، با دو روش هم رسوبی و رسوبی ـ کاهشی تهیه شدند. سپس نانوذرات با استفاده از پوشش های سیلیسی و اولییک اسید برای بهبود پایداری شیمیایی و پراکندگی بهتر در محیط واکنش پوشش داده شدند. مشخصه یابی توسط ft-ir، xrd، tem، sem و vsm صورت گرفت. در مرحله ی دوم، برای آب دوست کردن نانوذرات مغناطیسی با پوشش اولییک اسید، نوعی هم بسپار خطی ـ درخت سانی دوگانه دوست در یک روش چندمرحله ای و به صورت واگرا تهیه شد. پلی اتیلن گلیکول با جرم مولکولی 1000 (peg-(oh)2) با سیانوریک کلرید عامل دار شد تا دارای چهار گروه کلر فعال شود (peg-cl4). گروه های عاملی کلر در واکنش بسپارش حلقه گشای 2ـ اتیل ـ 2 ـ اکسازولین شرکت کرد تا هم بسپار ستاره ای با هسته ی پلی اتیلن گلیکول (peg) و بازوهای پلی(2ـ اتیل ـ 2 ـ اکسازولین) آب دوست تهیه گردد. برای پایان بسپارش از مولکول دی اتانول آمین استفاده شد تا گروه های هیدروکسیل (peg-pox-oh) در بسپارش ?ـ کاپرولاکتون شرکت کرده و بخش آب گریز پلی(?ـ کاپرولاکتون) (pcl) تشکیل شود. با این روش هم بسپار خطی ـ درخت سانی دوگانه دوست شامل بخش پلی اتیلن گلیکول ـ پلی اکسازولین ـ پلی کاپرولاکتون تهیه شد. این هم بسپار دوگانه دوست با تشکیل ساختار میسلی، نانوذرات مغناطیسی با پوشش اولییک اسید را داخل حفره های آب گریز و قرمز کنگو را در حفره های آب دوست خود بارگذاری کرد. نانوساختارهای بسپاری با روش های ft-ir، 1h nmr، tem، uv-vis شناسایی شدند.