بررسی های سرولوژیک انجام شده بیانگر و نشان دهنده آلودگی به توکسوپلاسما در تمام نواحی دنیا می باشد. توکسوپلاسموزیس یکی از خطرناک ترین بیماری‏های تک یاخته‏ای مشترک بین انسان و دام بوده که انسان از طرق مختلف به آن آلوده می شود. تماس با حیوان آلوده، مصرف مواد غذایی آلوده و انتقال از مادر به جنین از مهم ترین راه های انتقال می باشد. به دلیل تنوع راه های آلودگی، میزان آلودگی در گروه های اجتماعی و شغلی، متفاوت می باشد. مطالعه حاضر به منظور تعیین میزان آلودگی به عفونت توکسوپلاسمایی در استان‏های اصفهان و مازندران و چهار محال و بختیاری صورت گرفت. 167 نمونه سرمی از استان اصفهان و 355 نمونه از استان مازندران و190 نمونه از چهار محال و بختیاری جهت تعیین سطح آنتی بادی ضد توکسوپلاسما (igg) به روش الایزا (کیت dia.pro، ساخت ایتالیا) مورد بررسی قرار گرفت. در نمونه های سرمی استان اصفهان میزان آلودگی مردان 46/41 درصـد، آلودگـی زنان 61/47 درصـد بود. در نمونه‏های سرمی استان مازندران آلودگی مردان 6/87 درصـد و آلودگـی زنان 31/89 درصـد بود.در نمونه های سرمی استان چهار محال و بختیاری میزان آلودگی مردان 81/61 درصد و آلودگی زنان 44/64 درصد بود و میانگین میزان آلودگــی در استان اصفهان 1/46 درصد و در استان مازنـدران 73/88 درصد و در استان چهار محال و بختیاری 68/63 درصد به دست آمد. میزان شیوع آلودگی با افزایش رطوبت افزایش معنی داری داشت (p?0.05). توکسوپلاسموز در مازندران بیشتر از سایر مناطق ایران بود. با توجه به یافته ها توصیه می‏شود اصول پیشگیری از بیماری توکسوپلاسموز آموزش داده شود.

در این تحقیق خواص ترموالکتریکی اکسیدروی خالص و اکسیدروی حاوی ناخالصی نقره بررسی شده است. بدنه های سرامیکی استوانه ای شکل به روش های مرسوم پرس خشک شده با دو رژیم متفاوت حرارت-دما سنتز گردید. الکترودهایی از جنس آلومینیم بر روی دو قاعده به روش تبخیر حرارتی نشانده شد. اندازه گیری مقاومت الکتریکی و ضریب سیبک به روش اندازه گیری در جریان صفر در گستره دمایی 90 تا ?310 صورت گرفت. هر دو پارامتر کاهش تدریجی با افزایش دما را نشان داد. هر دو این تغییرات به افزایش غلظت حامل ها با افزایش دما مرتبط گردید. در ادامه، مقاومت الکتریکی و ضریب سیبک نمونه های اکسیدروی خالص تفجوشی شده در دمای 800 و c°1000 بررسی و مقایسه شد. با افزایش دمای تفجوشی مقاومت الکتریکی بدنه به شدت کاهش یافت، لیکن ضریب سیبک تغییر چندانی نداشت. نمونه های اکسیدروی حاوی درصدهای معینی از نقره نیز به طور مشابه تهیه و مورد بررسی قرار گرفت. ملاحظه گردید که با افزایش تراکم نقره در بدنه، مقاومت الکتریکی و اندازه ضریب سیبک نمونه ها افزایش می یابد. نتایج بدست آمده از آزمایش ها بر اساس پارامترهای مهم نیمه هادی مدل گردید؛ مدل ارائه شده بیان قابل قبولی از نتایج را ارائه می دهد. همچنین اکسیدروی حاوی ناخالصی نقره به روش شبیه سازی first principles study بررسی شد و نتایج نشان داد که ناخالصی نقره توانایی ایجاد حامل های نوع p در اکسیدروی را دارد.