هدف از اجرای این پروژه، بررسی ساختار الکترونی نانولوله های کربنی تک دیواره و محاسبه ی رابطه ی پاشندگی انرژی می باشد. در انجام محاسبات، از روش زون-فولدینگ و اثرات پیچش استفاده شده است. ابتدا با استفاده از تقریب تنگ-بست گرافن را بررسی کرده سپس با اعمال شرایط مرزی مناسب، رابطه ی پاشندگی انرژی نانولوله را به دست می آوریم. نتایج به دست آمده در روش زون-فولدینگ نشان می دهد که برای نانولوله-های زیگزاگ نیم رسانا، گاف انرژی در سطح فرمی مشاهده می شود. با در نظر گرفتن اثر پیچش، تغییر عمده ای در فواصل اتمی و هیبریداسیون اوربیتال های اتمی ایجاد می شود. با اعمال این اثر، تغییراتی در گاف انرژی نانولوله های زیگزاگ ایجاد می شود که این تغییرات باعث ارجعیت این روش نسبت به روش زون-فولدینگ خواهد بود. نکته ی مهمی که در همه ی این روش ها وجود دارد این است که تغییرات گاف انرژی با افزایش قطر نانولوله ها، روند کاهشی خواهد داشت. در فصل چهارم، برای نانولوله های مختلف به مقایسه ی این دو روش می پردازیم.