در این کار پژوهشی نانوذرات nife2-xgaxo4 به ازای x های 0، 1/0 و 3/0 به روش سل – ژل ساخته شد و اثر جانشانی گالیم بر خواص ساختاری و مغناطیسی این نانوذرات مورد بررسی قرار گرفت. به منظور شناسایی ذرات حاصل، از طیف اشعه x و برای بررسی ویژگی های مغناطیسی آنها از دستگاه مغناطیس سنج با نمونه نوسانی vsm استفاده گردید. آنالیز ساختاری نمونه ها توسط الگوی پراش پرتو x نشان می دهد ساختار حاصل، اسپینلی معکوس و دارای شبکه مکعبی است. میانگین اندازه بلورک ها و همچنین ثابت شبکه، به دلیل جایگزینی یونهای گالیم با شعاع یونی کوچکتر ( 62/0) با یون های آهن با شعاع یونی 64/0 کاهش می یابد. بررسی ویژگی های مغناطیسی نمونه ها نیز افزایش مغناطش اشباع و پسماند، متناسب با افزایش آلایش گالیم را نشان می دهد، زیرا یونهای گالیم در محدوده آزمایش (3/0x ) ترجیح می دهند در جایگاه a قرار گیرند. با افزایش جانشانی یونهای ga3+ به جای یونهای fe3+ در جایگاه (a)، یونهای fe3+ به جایگاه (b) انتقال می یابد و در نتیجه مغناطش اشباع و پسماند نیز افزایش می یابد.