در این پایان نامه، نانوساختارهای یک بعدی tio2 به روش vls تهیه شدند. بطور کلی ساخت نانوسیم های tio2 شامل سه مرحله ی اساسی می باشد: نخست، لایه نازکی از تیتانیوم به روش پرتوالکترونی در خلاء mbar 5-10×5/1 بر زیرلایه کوارتز لایه نشانی شد. سپس به روش کندوپاش لایه نازکی از طلا به ضخامت nm 3 بر روی تیتانیوم پوشش داده شد. در مرحله ی نهایی محصول بدست آمده در کوره ی استوانه ای قرار داده شد و نانوسیم های tio2 به روش vls رشد داده شدند. دمای مرکز کوره که محل قرارگیری بوته می باشد ? 1050 بوده و نمونه ها در دمای ? 850 بمدت 1 ساعت در فشار اتمسفر و شارهای مختلف گاز آرگون (sccm 60، 110 و 170) قرار گرفت. برای تعیین خواص اپتیکی و میکروساختاری نانوسیم های tio2 از آنالیزهای فوتواسپکترومتری، sem، xrd و محاسبات میکروساختاری استفاده شده است. نتایج آنالیزها نشان می دهد که نانوسیم های tio2 در فاز روتایل تشکیل شده اند و رشد ارجح در همگی در راستای (110) می باشد. انرژی گاف نواری نانوسیم های tio2 بدلیل اثر محدودیت کوانتومی از مقدار مشابه در حالت بالکی افزایش یافته است و در بین نمونه ها، با افزایش شار آرگون، نانوسیم ها نازک تر و بلندتر شده و انرژی گاف نواری آنها افزایش یافته (ev 35/3- 45/3) و بلورینگی آن ها نیز بهبود یافته است.