لایه های نازک مولیبدن با ضخامتnm 50، با استفاده از سیستم کندوپاش مغناطیسی بر روی زیرلایه (400) si انباشت شدند و در دماهای مختلف (?700، 575، 450، 325، 200) در حضور شار ثابت اکسیژن (cc/min200) بازپخت شدند. ساختار بلوری نمونه ها با پراش اشعه- x تحلیل شد و از یک میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) برای بررسی ریخت شناسی سطح نمونه ها استفاده شد. مقاومت ویژه لایه های نازک اکسید مولیبدن نیز با استفاده از ابزار چهار میله نوک تیز (fpp) تحلیل شد. نتایج پراش پرتو-x نشان داد ساختار بلوری لایه های نازک اکسید مولیبدن قویاً به دمای بازپخت وابسته است، همچنین نتایج نشان داد که افزایش دمای بازپخت سبب افزایش اندازه دانه ها، زمختی سطح نمونه ها می شود. همچنین نتایج بررسی الکتریکی نشان داد مقاومت ویژه نمونه ها با افزایش دمای بازپخت تا ? 575 افزایش وسپس کاهش می یابد.