در سالهای اخیر کاربرد نانو ذرات و لایه های نازک به طور وسیعی گسترش یافته که به دلیل ساختارهای متفاوت هر کدام کاربردهای مختلفی در زمینه های الکترونیکی، اپتیکی، متالوژیکی، بیو دارویی و... دارند. در این تحقیق به آماده سازی سیستم لایه نازک حاوی نانوذرات tio2 با ناخالصی sn با نسبت های مولاری مختلف و سرعت لایه نشانی متفاوت بر سطح زیر لایه هایی از جنس شیشه لام به روش اسپین کوتینگ می پردازیم. پس از مرحله کلسینه نمونه ها، به کنترل مورفولوژی سطحی با دستگاه میکروسکوپ الکترونی روبشی(sem)، توپوگرافی لایه نازک توسط میکروسکوپ نیرو اتمی(afm) پرداختیم. همچنین با استفاده از دستگاه اسپکتروفوتومتر(uv) طیف عبوری و جذبی به منظور تعیین ضریب جذب، ثابت خاموشی، گاف انرژی و ضریب شکست نمونه ها اندازه گیری گردید. نتایج حاکی از آن است که بیشترین میزان طیف جذبی مربوط به لایه نازک tio2 آلائیده با ناخالصی 5 مول درصد sn و سرعت لایه نشانی 3000 دور بر دقیقه می باشد.