بخاطر اهمیتهای تکنیکی و علائق بنیادی، تاشهای فراوانی برای فهم مکانیزم رشد لایه های نازک و چگونگی دینامیک ناهمواری سطوح رشد کننده در تنیکهای مختلف صورت گرفته است. در این پایان نامه لایه های نازک پنتا اکسید وانادیم بر روی زیر لایه سیلیکن (100) به روش تبخیر حرارتی رشد داده شد. ناهمواری سطوح بوسیله میکوسکپ نیرو اتمی ‏‎(afm)‎‏ مشخص شد. نماهای زبری و دینامیک لایه ها، با محاسبه تابه همبستگی ارتفاع - ارتفاع، نشان داد که آمار افت و خیز ضخامت مالتی فرکتال نیست.