پیشگویی مور، یک مقدار تخمینی از مقیاس گذاری است که به پیشگویی کام بخش تبدیل شده است که رشد نمایی صنعت نیمه رسانا و ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) را از چهار دهه پیش سبب شده است. هم سوی پیشگویی مور، توسعه-های آتی صنعت نیازمند نانو ترانزیستورهایی با گیت اکسید با ثابت دی الکتریک بالا و انرژی گاف نواری بزرگ تر برای جایگزین کردن اکسید سیلیکون است. در کار حاضر، ما یک سری از آزمایش ها را برای سنتز la2o3 با عمل سل- ژل شرح می دهیم و همچنین خواص نانو ساختاری آن را برای یافتن یک گیت دی الکتریک خوب، با تکنیک های پراش پرتو x (xrd)، طیف سنج تابش مادون قرمز تبدیل فوریه (ftir)، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm)، میکروسکوپ اسکن الکترونی (sem)، طیف پاشندگی پرتو ایکس (edx)، میکروسکوپ تراگسیل الکترونی (tem) و ولتاژ- چرخه ای (c-v) مطالعه و بررسی می کنیم. نتایج بدست آمده نشان می دهد که la2o3 با ساختار آمورف و ثابت دی الکتریک بالا می تواند برای جایگزینی sio2 در تولیدات آینده قطعات ترانزیستور معرفی شود.