امروزه ابعاد قطعات و تراشه های الکترونیکی وارد حوزه نانو مقیاس شده است. ترانزیستورهای فیلم نازک با مواد آلی (otft) با گیت دی الکتریک بسیار نازک هیبریدی مواد آلی و معدنی درکار حاضر دارای خواص الکتریکی خوب از جمله ثابت دی الکتریک بالا و چگالی جریان نشتی کم در ضخامت کمتر از 40 نانومتر هستند.پژوهشگران دریافتند که گیت های دی الکتریک پلیمر، دارای ثابت دی الکتریک پایین وچگالی جریان نشتی عبوری بالاهستند و قابلیت های لازم را برای تراشه های الکترونیکی دارا نیستند.تلاش نمودیم تا با سنتز کامپوزیت ماده آلی وغیرآلی به روش سل –ژل ماده ای با ساختار مناسب تهیه نماییم. این مواد نانو کامپوزیتی ترکیبی ازماده آلی پلی استایرن ولانتانیم اکسید هستند.ویژگی نانو ساختاری والکتریکی این نمونه ها به کمک تکنیک های پراش پرتو ایکس(xrd) ، edx، x-powderو sem مورد مطالعه قرار گرفتند.نتایج بدست آمده نشان می دهندکه نمونه ها بدلیل ویژگی های ساختاری که دارند می توانند به عنوان یک ماده ی عایق کاهنده جریان های مزاحم نشتی در قطعات انعطافی آتی الکترونیکی به کار آیند وآمورف بودن ساختار مورد مطالعه و بالابودن ثابت دی الکتریک نانو کامپوزیت پلی استایرن ولانتانیم اکسید می تواند آن را به عنوان یک جزء عالی نانوتراشه های الکترونیکی بسازد.