در بسیاری از کاربردهای دانش امروزی نیاز به انتقال الکترون مانند میکروسکوپ های الکترونی، مایکرویو و صفحه نمایش می باشد، که در فصل های این پایان نامه به آن خواهیم پرداخت. در فصل اول تشکیل میکرو ساختارها بر سطح سیلیکون به اختصار بیان می شود وخواص میکروساختارها ازجهت نوری و الکتریکی بررسی می شود. در فصل دوم به معرفی کاتدها می پردازیم و انواع آن را معرفی می کنیم. در فصل دوم که اختصاص به گسیل میدان دارد، پدیده تونل زنی را از دیدگاه مکانیک کوانتومی بررسی کرده و سپس به مطالعه ی تاریخ اولیه ی گسیل میدان از لحظه ی شکل گیری آن تا هنگام تکمیل، توسط معادلات فاولر و نوردهایم می پردازیم. در ادامه به اثبات فرمول آن پرداخته و در مورد رابطه ی فاولر و نوردهایم و این که این رابطه چه اطلاعاتی را در اختیار ما قرار می دهد صحبت می کنیم. همچنین پارامترهای گسیل میدان و کاربردهای آن بیان می شود. فصل سوم به بیان نتایج تجربی گسیل میدان و همخوانی نمودارها با تئوری گسیل میدان می پردازیم، در این مرحله چهار آزمایش بررسی می شود و در آزمایش چهارم فرمولی را برای گسیل از میکروساختار سیلیکونی ومقایسه ی آن با نتایج تجربی بیان خواهیم کرد. در فصل چهارم به نتیجه گیری خواهیم پرداخت.