در این پژوهش، جاذب های صفحه ای غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته اند. به کمک روش خط انتقال، مدار معادل و نمودار اسمیت دو جاذب پهن باند در باند های c و x به وسیله ساختارهای متناوب طراحی و تحلیل شده اند. جاذب اول در باند c در مقایسه با صفحه سلیزبری به ازای افزایش 2 میلیمتری در ضخامت، پهنای باند db20- را از 25.3 درصد به 66.7 درصد بهبود می دهد. در طراحی جاذب دوم در باند x، با معرفی یک سلول واحد جدید شامل مقاومت های دوگانه، ضمن کاهش لایه-های جاذب، تعداد نقاط تشدید افزایش یافته و پاسخی یکنواخت حاصل شده است. در این جاذب برخلاف روش مدار خازنی از سلف ها در طراحی مدار معادل استفاده شده و به کمک آن ها مرتبه مدار افزایش یافته است. نتیجه این عمل ساخت جاذبی با ضخامت کلی 3 میلیمتر در باند x می باشد که تنها از دو زیرلایه تشکیل شده است.