از طریق روش اکسیداسیون گرمایی نانوسیم های اکسیدروی سنتز شده اند. مشخصه یابی نانوسیم ها توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف فوتولومینسانس، پراش پرتو ایکس و طیف تراگسیل انجام شده است. گاف انرژی نمونه ها از طریق داده های حاصل از طیف تراگسیل در گستره طول موج 800-300 نانومتر تعیین شده است. با افزایش دمای گرمایی از 500 به 600 درجه سانتیگراد میانگین قطر نانوسیم ها افزایش یافته است ولی باافزایش بیشتر دما از 600 به 800 میانگین قطر کاهش و طول افزایش یافته است و در دمای 900 درجه هیچ نانوسیمی رشد نیافته است. در دمای ثابت با افزایش مدت زمان، تراکم و طول نانوسیم ها افزایش پیدا کرد و نانوسیم هامنفصل تر شدند. اهمیت خلوص ماده اولیه روی ساختار بررسی شد. در طیف فوتولومینسانس نمونه ها سه پیک نشر فرابنفش، نشر آبی و سبز مشاهده شد که با افزایش دما شدت پیک فرابنفش کاهش و شدت پیک سبز به شدت افزایش پیدا کرد و پیک نشر فرابنفش به سمت طول موج های بزرگتر می رود. با افزایش مدت زمان شدت نشر فرابنفش افزایش می یابد و شدت نشر سبز و آبی کاهش می یابد. طیف پراش اشعه ایکس نمونه، ساختار بلوری هگزاگونال ورتزایت اکسیدروی را نشان می دهد. طیف تراگسیل نمونه ها دارای گذار بالای %60 در ناحیه مریی است و با افزایش دما افزایش می یابد، همچنین گاف انرژی نمونه هانیز افزایش می یابد.