نام پژوهشگر: سمیه دشتی رحمت آبادی
سمیه دشتی رحمت آبادی قاسم انصاری پور
در این پایان نامه مشخصات جریان- ولتاژ ماسفت های کانال کوتاه دو دروازه ای با طولهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است. در ابتدا جریان زیر آستانه ی این قطعات برای طولهای کانال 100 و 50 و 20 نانومتر محاسبه شده است و نشان داده ایم که جریان زیر آستانه برای قطعه با طول کانال کوچکتر، مقدار بزرگتری دارد و هر چه طول کانال بزرگتر باشد بستگی جریان زیر آستانه به جریان دررو کمتر است. همچنین نشان داده ایم که جریان زیر آستانه برای قطعات با طول کانال بالای 100 نانومتر به ولتاژ دررو بستگی ندارد.در این پایان نامه همچنین نمودار جریان- ولتاژدر تمامی نواحی ,ضریب رسانایی کانال و ضریب رسانایی متقابل با استفاده از دو مدل متفاوت برای قطعاتی با طول کانالهای مختلف یعنی 30،40،50،100،150،250 نانومتر نانومتر محاسبه و رسم نموده ایم و سپس نتایج حاصل از دو مدل را برای سه طول کانال 100،60 و 250 نانومتر را با هم مقایسه نموده ایم و نشان دادیم که دو مدل برای طول کانال های بالای 100 نانومتر انطباق قابل توجهی دارند. اما برای طول کانال های کوچکتر نتایج آنها اندکی متفاوت است. به همین دلیل نتایج هر یک از دو مدل را برای طول کانال 20 نانومتر با مدل یک ماسفت بالستیکی مقایسه نموده ایم و نشان داده ایم که هر دو مدل نتایج نزدیک به نتایج مدل بالستیکی ارائه می دهند و حتی در بعضی از مقادیر ولتاژ دروازه نتایج کاملا یکسانی دارند. در نهایت مدلی که همخوانی بیشتری با مدل بالستیک داشت یعنی مدل دوم را به عنوان مدل برتر معرفی نمودیم. ?