ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه اثرافزایش چگالی ناخالصی کانال بر مشخصات ترانزیستور لایه نازک پلی سیلیسیمی سه گیتی بررسی شده است. با افزایش ناخالصی به صورت غیر یکنواخت، جریان نشتی ترانزیستور کاهش می یابد. در حالت یکنواخت نیز جریان نشتی کاهش می یابد اما جریان حالت روشن کاهش یافته و ولتاژ آستانه افزایش می یابد. بهبود نسبت جریان روشن به خاموش در حالت یکنواخت درمقایسه با حالت غیر یکنواخت بیشتر است. همچنین ساختار ‏جدیدی به منظور کاهش جریان نشتی در ترانزیستور های پلی سیلیسیمی معمولی ارائه شده است. ساختار ارائه شده ترانزیستور لایه نازک پلی سیلیسیمی با چگالی ناخالصی تدریجی نامیده شده است که درآن کانال ترانزیستور شامل 5 قسمت با چگالی ناخالصی متفاوت است. ایده ارائه شده موجب کاهش در جریان نشتی ترانزیستور شده و در نتیجه آن، مشخصه جریان روشن به خاموش ترانزیستور بهبود می یابد.