در دهه گذشته، یک فناوری جدید بوجود آمد که توانست مشکل آنتن های میکرواستریپ در پهنای باند وسیع را برطرف سازد. در این تکنولوژی می توان با ترکیب بندیِ شکل جدیدی از زیرلایه ی آنتن های پَچ، یک باند ممنوع? فرکانسی از امواج الکترمغناطیسی را بوجود آورد. این کار باعث بهبود در بازدهی و پهنای باند آنتن های پچ و از طرفی باعث کاهش لوپ های تشعشعیِ کناری و کاهش سطوح تداخل در آنها می شود. این زیرلایه های، اصطلاحاً کریستال های فوتونی نامیده می شود.بلورهای فوتونی یک نوع ساختارهای تناوبی ساخته شده از مواد دی الکتریک، فلزی و یا ترکیبی هستند که در برخورد با سیگنال های الکترومغناطیس می توانند به عنوان یک باند فرکانسی ممنوعه قرار بگیرند و همانند یک فیلتر میان نگذر، از نفوذ و انتشار سیگنال موردنظر در یک باند ممنوعه خاص جلوگیری کند. به این صورت که امواج در داخل بلورهای فوتونی دچار یک تداخل ویرانگر شده و در نتیجه از انتشار باز می مانند. با استفاده از یک ساختار زیرلایه ای خاص بلور فوتونی و ترکیبی از اشکال مختلف آن، می توان مشکل امواج سطحی آنتن های پچ را برطرف نمود. به وسیله کاهش این عوامل بازدارنده با بلورهای فوتونی می توانیم از این آنتن های ذاتاً باند باریک، یک پاسخ پهن باند بدست آورد. رفتار بلورهای فوتونی باعث کاهش لوپ های جانبی می شود. کاهش این عامل سبب بهبود نسبت الگوی تابش جلو به عقب (front to back) و افزایش جهت دهی و بهره می شود و همچنین افزایش بازدهی تشعشعی و بازدهی کل آنتن ها را بدنبال دارد.