خستگی ذهنی به عنوان یک عامل بازدارنده فعالیت ها، یکی از مشکلاتی است انسان امروز با آن روبرو است. هنگامی که فرد در وظایف روزانه خود ملزم به اجرای فعالیت هایی باشد که برای مدت طولانی و با دقت باید انجام پذیرند، پس از مدتی احساس خستگی می کند. در ایجاد این نوع خستگی الزاماً فعالیت جسمی وجود ندارد. بروز خستگی ذهنی آثار متعددی به همراه دارد؛ مانند کاهش کارآیی، توان برنامه ریزی، کنترل کارها و از همه مهمتر کاهش میزان تمرکز در مسائلی که به توجهی ماندگار برای اجرا نیاز دارند. این امر سبب می شود که فعالیتهای شناختی شخص به شدت کاهش یابد و حتی در مواردی (مانند رانندگی و نگاهبانی) می تواند خطرناک باشد. برای دستیابی به راهکاری جهت مقابله با بروز خستگی ذهنی باید به صورت دقیق پدیده و آثار فیزیولوژیکی و ذهنی مرتبط با آن را شناخته و در مرحله بعد با کامل شدن شناخت از ظهور آن جلوگیری نمود و یا در صورت اتفاق افتادن بتوان آن را با روشهای علمی و عینی تشخیص داد. هدف از این تحقیق آشنا شدن با تغییرات فعالیت الکتریکی مغز در اثر بروز خستگی ذهنی به عنوان یکی از موضوعات جدید در حوزه علوم شناختی و تأثیر آن بر توجه ماندگار به عنوان یکی از فعالیت های مهم شناختی است. برای اجرای این تحقیق ابزاری که استفاده شده است، ثبت فعالیت الکتریکی مغز طی یک فرآیند طراحی شده برای ایجاد خستگی ذهنی طی یک کار همراه با توجه است. برای تحلیل و ارزیابی وضعیت خستگی، سیگنالهای ثبت شده مورد پردازش قرار گرفت، که از بین روشهای موجود از تبدیل ویولت استفاده شده است. با اعمال تبدیل ویولت گسسته با پایه ویولت db10 روی سیگنال eeg ، و سپس استخراج ویژگی از ضرایب ویولت و با استفاده از آزمون آماری anova ویژگی هایی که در طول خستگی تغییرات قابل ملاحظه داشته اند، به عنوان ویژگی های نشان دهنده خستگی ذهنی معرفی گردیدند. بدین ترتیب کانال های f43,f4,f7,fz,c4,o1,o2,… کانال های موثر، و میانگین و بعد هیگوچی ضرایب ویولت، به عنوان ضرایب موثر شناسایی گردیدند.