به طور کلی مسائل مربوط به هزینه های ساخت و نگهداری، سهولت در طراحی و نصب، محتوای هارمونیکی، تلفات، سطح ولتاژ و جریان، مقدار توان راکتیو نامی قابل جبران و بسیاری از مسائل دیگر مورد نظر پژوهشگران در این زمینه می باشد. از ویژگیهای ذکر شده، فقط برخی از آنها در یک جبرانگر توان راکتیو نوعی ممکن است خوب باشد. به این معنی که ممکن است مثلاً یک جبرانساز دارای محتوای هارمونیکی پایین و مقدار توان راکتیو نامی بالا باشد ولی هزینه های ساخت و نگهداری زیاد باشد ولی جبرانساز دیگری دارای تلفات و هزینه های پایین اما محتوای هارمونیکی بالا باشد. بنابراین با توجه به هدف به کارگیری، یک جبرانگر توان راکتیو انتخاب می شود. در این پروژه سعی بر تکمیل تئوری و اصلاح مشکلات یک جبرانساز توان راکتیو با ساختاری جدید با نام csct شده است تا جاییکه در همه ویژگیهای بیان شده دارای کیفیت مناسبی باشد. با تغییر در ساختار هسته مغناطیسی یک ترانسفورماتور سه فاز سه سیم پیچه با مدارات مرتبط و ایجاد سطح ولتاژ اتصال کوتاه صد در صد، هدفِ داشتنِ مقدار توان راکتیو نامی بالا، محتوای هارمونیکی ناچیز، تلفات کم، هزینه های پایین، سهولت در نصب و راه اندازی به طور همزمان دنبال شده است.