در این تحقیق در ابتدا سعی شد نانوسیم های آلیاژی آهن و مس به روش الکتروانباشت پالسی مستقیم در داخل نانوحفره های آلومینای حفره دار که به روش آندایز دو مرحله ای ساخته شده بود رشد داده شود. برای انجام نهشت به روش مستقیم، لایه سدی آلومینای حفره دار در یک آندایز غیر تعادلی براساس یک تابع نمایی تا 2 ولت نازک گردید و سپس الکترونهشت پالسی مستقیم در اسیدیته 5/2 و زمان های خاموشی 0، 10، 20 میلی ثانیه به انجام رسید. مشاهده شد ضمن انجام نهشت جریان تغییرات زیادی داشته و نهشت به صورت یکنواخت صورت نمی گیرد. بنابراین سعی شد با تغییر ولتاژ نهایی نازک سازی و ولتاژ نهشت، بهینه شرایط برای انجام نهشت به دست آورده شود. انجام آزمایشات در شرایط مختلف نشان داد به سبب ایجاد یک جریان بازگشتی در هنگام نهشت امکان ساخت نانوسیم های یکنواخت به این روش وجود نداشته و برای حذف این جریان لازم است ولتاژ به صورت پالسی متناوب اعمال گردد. اثر زمان های خاموشی و غلظت های مختلف مس بر خواص ساختاری، مغناطیس و ترکیب آلیاژی نانوسیم هایfecu مورد بررسی قرار گرفت. در هر غلظت با افزایش زمان خاموشی درصد مس در نانوسیم ها افزایش می یابد. این افزایش درصد مس باعث کاهش مغناطش، وادارندگی و نسبت مربعی با افزایش زمان خاموشی در هر غلظت می گردد. نتایج xrd بیانگر آن است که آهن و مس در دو فاز کاملا جدا متبلور شده اند. اثر تابکاری بر روی همه نمونه های ساخته شده مورد مطالعه قرار گرفت و مشاهده شد انجام تابکاری مغناطش همه نمونه ها را کاهش می دهد. تاثیر تابکاری در وادارندگی نمونه ها به میزان مغناطش اشباع نمونه قبل از تابکاری بستگی دارد. اگر مغناطش از میزان مشخصی (در نمونه های ساخته شدهfecu این مقدار تقریبا برابر با emu/cm20035 /0 است) بیشتر باشد وادارندگی نمونه ها پس از تابکاری افزایش می یابد در غیر این صورت پس از تابکاری وادارندگی نمونه ها کاهش می یابد