ساخت لایه های نازک اکسید روی با روش اسپری و بررسی مورفولوژی آنها و در ادامه ساخت دیودهای نوری zno/si از این ساختارها و مطالعه آشکارسازی نور uv در آنها و در پایان بررسی ویژگیهای فوتوولتائیک این ساختارها از مهمترین اهداف این تحقیق می باشد. ویژگیهای پیوندگاه نامتجانس zno/si با اندازه گیری مشخصه جریان-ولتاژ تحت شرایط تاریک و نیز نور uv انجام می شود. نتایج ، رفتار یکسوکنندگی در شرایط تاریک و افزایش جریان تحت تابش نور uv نشان دادند. برای بهبود سد موجود بین znoو si از لایه نشانی sio2 به عنوان یک لایه میانی استفاده نمودیم. نتایج به صورت رفتار یکسوکنندگی در شرایط تاریک و افزایش قابل ملاحظه ای در جریان تحت نوردهی uv مشاهده شد. در پایان خاصیت فتو ولتایی این پیوندگاه ها را مورد بررسی قرار دادیم و نمونه دارای پیوندگاه azo/sio2/si که با حجم cc20 اکسید روی و با آلایش 1%آلومینیم بر زیر لایه سیلیسیوم به مساحت 2cm1.5و نیز با زمان لایه نشانی 90 دقیقه sio2 تشکیل شده بود، جریان مدار کوتاه µa25 و ولتاژ مدار باز mv 150 را تحت تابش 2watt/cm 0.0004 نشان داد.