ترانزیستورهای اثر میدانی بر روی عایق یکی از پر کاربرد ترین افزاره هاست. این فن آوری برای غلبه بر اثرات کانال کوتاه و کاهش جریان نشتی و کاهش خازنهای پارازیتی نقش مفیدی ایفا کرده است. همچنین با توجه به اهمیت کاربردهای ترانزیستورهای اثر میدانی بر روی عایق در طراحی مدارهای مجتمع rfبرای کاربردهای رادیویی و مخابراتی، ماهواره ها و سیستمهای بی سیم ، بهبود ساختار این افزاره ها مورد توجه اکید قرار گرفته است. در سالهای اخیر افزاره های strained si/sige محبوبیت زیادی در صنعت میکروالکترونیک کسب کرده است. این محبوبیت از آنجا ناشی می گردد که با این افزاره ها می توان ابعاد کوچکتر و کارایی بهتری به دست آورد. گزارش ها و تحقیقات گوناگون نشان داده است که این فن آوری به علت بهبود قابلیت حرکت الکترونها و حفره ها در جریان راه انداز n-mos و p-mos رشد چشمگیری داشته است. استفاده همزمان از مزایایی فن آوری سیلیسیم بر روی عایق و فن آوری strained si/sige موجب بهبود کارایی افزاره، توان مصرفی و سرعت افزاره می شود. همچنین بالا رفتن جریان در فن آوری strained si/sige در پارامترهای rf نقش مهمی ایفا می کند. در این تحقیق قصد داریم با شبیه سازی افزاره strained si/sige بر روی عایق اثر تنش بر روی مشخصه های الکتریکی dc و مشخصه های ac مانند ولتاژ آستانه ، جریان راه انداز، جریان نشتی ،فرکانس قطع (ft) ، حداکثر فرکانس نوسان (fmax) ، بهره ولتاژذاتی (avo) ، هدایت انتقالی (gm) را بررسی نماییم. در این پایان نامه با استفاده از نرم افزار silvaco-atlas به طراحی و شبیه سازی افزاره سیلیسیم تحت تنش بر روی عایق می پردازیم.