نام پژوهشگر: سیده بنت الهدی هاشمی جبلی

مطالعه اصول اولیه خواص ساختاری و الکترونی نانولوله های گالیم نیترید در حضور ناخالصی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم 1390
  سیده بنت الهدی هاشمی جبلی   علی اصغر شکری

نانولوله گالیم نیترید آرمچیری (5و5) بر خلاف نانولوله کربنی به صورت نیمه هادی است. نانولوله-های گالیم نیترید به همان پایداری نانولوله های کربنی هستند و می توانند تحت برخی از شرایط مازاد شکل بگیرند. ویژگی گالیم نیترید نشان دهنده قابلیت این ماده برای استفاده در وسایل الکترونیکی با دما و سرعت بالا است. علاوه بر این، آنها خواص نوری جالبی نیز دارند به طوری که می توانند طول موج های ماوراء بنفش و نورآبی گسیل کنند. بر این اساس در فصل اول به بیان مطالبی در باب مروری بر فناوری نانو و ویژگی های نیمرساناها پرداخته و در فصل دوم به بررسی نظریه ی تابعی چگالی پرداخته و با استفاده از این نظریه و استفاده از آن در کد نرم افزاری siesta خواص مورد نظر حاصل می شود. در siesta، دستگاه پایه از نوع ترکیب خطی اوربیتال های اتمی و محیط مورد نیاز برای نصب و اجرای آن سیستم عامل لینوکس می باشد که این سیستم عامل از ضریب امنیتی بالایی برخوردار است. فصل سوم شامل خصوصیات گالیم نیترید و نحوه رشد دادن آن می باشد و در نهایت در فصل چهارم بعد از آشنایی با ساختار این ماده و نحوه رشد دادن آن محاسبات را در ابتدا روی نانولوله گالیم نیترید در حالت خالص متمرکز کرده و به بررسی خواص الکترونی از جمله ساختار نوار انرژی، چگالی حالت الکترونی و همچنین بررسی لایه ظرفیت و سهم اوربیتال های آن در خواص الکترونی و رسانندگی می پردازیم. در ادامه کار با افزودن ناخالصی های اکسیژن و روی، محاسبات را تکرار کرده و در نهایت به مقایسه آن ها می-پردازیم.