با کشفگرافین در سال 200? و مشاهدهی خواصممتاز الکتریکی این ماده برای استفاده در صنایع الکترونیکو اسپینترونیک، ضرورت مطالعهی خواص ترابرد الکتریکی و اسپینی این ماده مورد توجه قرار گرفت. یکی از کاندیداهای استفاده در ترابرد الکتریکی جهت انتقال اطلاعات، نانوروبانهای گرافینی هستند. در این میان بررسی اثر بینظمی، شامل بینظمیهای موضعی ساختاری و ناهمواریهای لبهی نانوروبانها اثرات مهمی روی خواص ترابرد این مواد دارند. در این پروژه جهت مطالعهی این اثرات، ترابرد نانوروبانهای گرافینی را در حضور و عدم حضور بینظمیها برای پهناها و طولهای متفاوت بررسی کردیم. ابتدا ماتریس هامیلتونی تنگابست سیستم در حضور بینظمی (تهیجای یا پراکندگی ضعیف) را در فضای حقیقی تشکیل دادیم، سپس با استفاده از ماتریس هامیلتونی، ماتریس تابع گرین سیستم در فضای حقیقی بهدست آوردیم و با استفاده از ماتریس تابع گرین ضریب هدایتالکتریکی سیستم محاسبه شد و با توجه به رابطهی بین هدایتالکتریکی و ضریب هدایتالکتریکی که با فرمول لاندائر به هم مربوط میشوند، تغییرات هدایتالکتریکی برحسب تغییرات بینظمی و همچنین انرژی فرمی را بهدست آوردیم. در ادامه، تمام این محاسبات را در حضور بینظمی اندرسون تکرار کردیم.