در این پژوهش ابتدا لایه های نازک، روش های لایه نشانی و کاربردهای آن معرفی می شوند. فصل دوم به بررسی ویژگی های اپتیکی لایه های نازک نیمرسانا و روش های اندازه گیری های آن می پردازد. در فصل سوم خواص فیزیکی ماده تلورید کادمیوم معرفی می گردد. خواص اپتیکی لایه های نازک نانوبلور cdte که توسط سایر همکاران آزمایشگاه لایه نازک دانشکده فیزیک دانشگاه سمنان به روش تبخیر حرارتی در فشار خلاء mbar 6-10 بر روی زیر لایه شیشه توسط دستگاه hind hi vac (15f6) رشد داده شده بود، در فصل چهارم مطالعه می شود. تاثیر تغییر در شرایط رشد همچون دمای زیر لایه، ضخامت، استفاده از لایه نشانی خراشان(glad) و چگونگی هدایت شار بخار بر استوکیومتری و خواص اپتیکی لایه ها از جمله میزان عبور، بازتاب، ضریب جذب، ضریب خاموشی، ضخامت بحرانی، ضریب شکست، ثوابت دی الکتریک، گاف نواری و اندازه دانه در این فصل مورد مطالعه قرار گرفته است. علاوه بر این شرایط رشد بهینه برای کاربرد در سلول های خورشیدی معرفی شده اند. دستیابی به اندازه دانه هایی از حدود 20 تا 40 نانومتر منجر به انتقال گاف نواری به انرژی های بالاتر به جهت اثر حبس کوانتومی شده است. اندازه نانو دانه ها با استفاده از مدل نواری سهموی (hbm) و تقریب جرم موثر (ema) تخمین زده شده و با تصاویر fesem مقایسه گردیده اند. فصل آخر به نتیجه گیری و ارائه پیشنهادات برای مطالعات آتی می پردازد.