این پژوهش به دنبال ساخت بستر مناسب جهت کشت سلول و درنهایت انتقال صفحات سلولی به نقطه هدف بدون آسیب زدن به ساختار سلول می باشد. در این رابطه از صفحات حساس به دما جهت کشت استفاده شده است. این صفحات از جنس پلی استایرن با یک لایه پلیمر پلی n- ایزوپروپیل اکریل آمید پیوند زنی شده در سطح می باشد. از ویژگی صفحات مذکور این است که با تغییرات دما می تواند از خاصیت آبگریزی به آبدوستی و بالعکس تغییر فاز داده و چسبندگی سلول به سطح را متاثر از این رفتار گرداند. جهت آماده سازی صفحات مذکور لازم است تا صفحات پلی استایرن در معرض تابش پلاسما قرار داده شود. تابش پلاسما، سطح پلی استایرن را دارای نقاط فعال شیمیایی کرده و زمانی که در مجاروت منومر n- ایزوپروپیل اکریل آمید قرار می گیرد، وجود رادیکال های آزاد ایجاد شده روی سطح، پلیمریزاسیون رادیکالی را شروع کرده و در نهایت پلی n- ایزوپروپیل اکریل آمید بر روی سطح پیوند می خورد. جهت تایید عملیات های اصلاح سطح با پلاسما و پیوندزنی بر روی سطح، از روش هایآزمایش زاویه تماس، آزمایشمیکروسکوپ الکترون پویشی وآزمایش میکروسکوپ اتمی استفاده شده است. با اعمال پلاسما بر روی سطح به دلیل حضور گروه های هیدروکسیل و کربوکسیل، میزان آبدوستی سطح افزایش می یابد که کاهش زاویه تماس این رویداد را ثابت می کند. روش های میکروسکوپیک با بررسی های شکل شناسی و زبری سطح، نشان دادند که با افزایش توان اشعه پلاسما و افزایش میزان پیوند پلی n- ایزوپروپیل اکریل آمید بر روی سطح، زبری سطح به صورت کمی و کیفی افزایش می یابد. همچنین با استفاده از آزمایش طیف سنجی مادون قرمز، باند های شیمیایی سطح پس از تابش پلاسما مورد بررسی قرار گرفت و مشخص گردید که با اعمال تابش پلاسما در توان های بیشتر، پیوند های هیدروکسی بیشتری بر روی سطح ایجاد شده است.میزان ضخامت لایه پلیمری پیوند زده شده بر روی سطح اثر مستقیمی بر کنترل میزان حساس پذیر بودن سطح به دما و نشست و برخاست سلول ایفا می کند. در این پژوهش با استفاده از فاکتور زبری در آزمایش میکروسکوپ اتمی به اندازه گیری ضخامت لایه پیوند زده شده پلی n- ایزوپروپیل اکریل آمید پرداخته شده است. در نهایت با کشت سلول بر روی سطوح اصلاح شده و پیوندزنی زده شده در آزمایشin-vitro نحوه نشست و برخاست سلول بر روی سطوح مورد بررسی قرار گرفته است و مشخص گردید در صورتی که ضخامت لایه پیوند پلی n- ایزوپروپیل اکریل آمید بر روی سطح nm4/52 باشد، بهینه ضخامت پیوند حاصل گردیده است.