امروزه تولید نانو لایه های sio2به منظور استفاده برای گیت ترانزیستور های mosfet و دیگر کاربرد های الکترونیکی در صنعت الکترونیک از اهمیت بالایی برخوردار است و با توجه به اینکه کوره های لوله ای علاوه بر ناکارآمد بودن برای تولید عایق هایی منطبق با نیاز صنعت امروزه، بسیار گران قیمت و زمان بر هستند، سیستم هایی تحت عنوان سیستم هایی حرارتی سریع (rapid thermal processing) به این منظور طراحی و ساخته می شوند که علاوه به کاهش زمان فرایند و هزینه مالی و صرف انرژی ، حرارت دهی یکنواخت را به صورت تابش ir فراهم می کنند. در این پایان نامه یک سیستم حراراتی سریع به گونه ای طراحی و ساخته شد که علاوه بر بدیع بودن، امکان توزیع یکنواخت تابش لامپ های هالوژن تنگستن به عنوان منبع گرمایی مورد استفاده در این سامانه فراهم می شود. پس از ساخت دستگاه پروفایل تابش لامپ ها در شرایط مختلف ترسیم شد و همچنین دمای نقاط مختلف ویفر در حالت های توان های مصرفی متفاوت و در فواصل مختلف با منبع گرمایی اندازه گیری شد؛ به علت ایجاد گرادیان دمایی روی سطح ویفر سیلیکون، راه کار های استفاده از حلقه محافظ و نگهدارنده مناسب جهت به حداقل رساندن این اختلاف دما روی سطح ویفر استفاده شد . بعد از به حداقل رساندن گرادیان دمای سطح ویفر، سیستم برای مرحله اصلی و نهایی یعنی انجام فرایند اکسیداسیون حرارتی سریع و رشد و تولید نانو ساختار ها مورد استفاده قرار گرفت. به این ترتیب با گرمایش گونه های مختلف بسترهای رسانا و نیمرسانا، انواع نانو ساختارها رشد داده شد. همچنین در پی فرایند اکسیداسیون درون سامانه حرارتی سریع، روی بستر سیلیکونی نانو لایه ایی از sio2 تولید شد.