پس از آنکه در سال 2004 تک لایه دو بعدی گرافین در آزمایشگاه ساخته شد، توجه دانشمندان به بررسی ویژگی های این ماده معطوف گردید. القای خواص ابررسانایی و فرومغناطیسی بوسیله اثر مجاورت در گرافین، موجب شد تا زمینه ی مناسبی برای مطالعه ویژگی های ترابردی اتصالات پایه-گرافینی شامل ابررسانا، فرومغناطیس و عادی (گرافین در حالت عادی) پدید آید. هم چنین مقاومت مغناطیسی غول آسا، gmr، پدیده دیگری است که کشف آن در اواخر قرن گذشته، موجب پیشرفت در تکنولوژی ساخت حافظه های مغناطیسی، حسگرها و ظهور صنعت اسپینترونیک شد. در این پایان نامه ویژگی های ترابردی اتصالات گرافینی با استفاده از معادله ی دیراک- بوگلیوبوف- دوژن و رهیافت بلاندر - تینکهام -کلاپویچ مطالعه شده است. پیکربندی های موازی و پادموازی ساختار فرومغناطیس- عادی- فرومغناطیس پایه ی گرافینی(fnf) مورد بررسی تحلیلی قرار گرفته و اثر جهت گیری موازی و پاد موازی میدان تبادلی فرومغناطیس، ضخامت ناحیه ی عادی و دما روی رسانش بار، اسپین و حرارت مطالعه شده است. نتایج بررسی مقاومت مغناطیسی غول آسا (gmr) به خوبی نشان دهنده تفاوت رسانش حالت های موازی و پاد موازی است، هم چنین برای نخستین بار مقاومت مغناطیسی غول آسا حرارتی و اسپینی معرفی شده است. در ادامه، ساختار فرومغناطیس-ابررسانا با گاف d-wave مورد بررسی قرار گرفته و اثر چرخش پارامتر نظم بر روی خواص ترابردی این ساختار بررسی شده است. این چرخش مربوط به جهت گیری بلوری های ابررسانای دمای بالا مانند ybacuo در مجاورت صفحات دو بعدی گرافین است.