نانوسیم های مغناطیسی آلیاژی در سال های اخیر، بواسطه ی خواص gmr فوق العاده ای که در چند لایه های مغناطیسی / غیر مغناطیسی از خود نشان می دهند، به طور گسترده مورد تحقیق واقع شده اند. به-منظور بهینه سازی شرایط الکترو انباشت برای ساخت و آماده سازی چند لایه های مغناطیسی /غیرمغناطیسی، اثر شرایط الکتروانباشت پالسی روی کاهش مغناطش نانوسیم های آلیاژی fecocu در غلظت های مختلف cu مورد بررسی و مطالعه قرار دادیم. نانوسیم های feco و fecocu توسط الکتروانباشت پالسی در قالب اکسید آندی ساخته شدند. در این پژوهش ساختار و مورفولوژی، درصد ترکیبات آلیاژی و خواص مغناطیسی توسط آنالیزهای، xrd spm، sem، eds و vsm مورد آنالیز قرار گرفتند. تأثیر پارامترهای مختلف از جمله زمان خاموشی بین پالس های اعمالی، غلظت عنصر غیر مغناطیس cu و فرایند عملیات حرارتی بر ساختار بلوری، ترکیب شیمیایی و خواص مغناطیسی مورد ارزیابی قرار گرفت. افزایش زمان خاموشی بین پالس ها، مقادیر میدان وادارندگی و اشباع مغناطیسی نانوسیم ها به واسطه ی جایگزین شدن اتم های cu با عنصرهای fe و co در نتیجه ی فرایند الکترولس کاهش می یابد ولی با انجام فرایند عملیات حرارتی میدان وادارندگی و نسبت مربعی افزایش نسبی را به بواسطه ی بهبود ساختار بلوری از خود نشان دادند. از طرف دیگر اندازه گیری های مغناطیسی حضور یک ناهمسانگردی عمودی با محور آسان موازی با محور نانوسیم ها را آشکار کرد. این دسته از نانوسیم ها بصورت بس بلور ظاهر شده و عنصر غیر مغناطیس مس تمایل به شکل گیری فاز جدایی از ساختار آلیاژی feco دارد.