نام پژوهشگر: امید سلطانی

ارزیابی رابطه برنامه ریزی راهبردی با انعطاف پذیری موسسات آموزش عالی مطالعه موردی دانشگاه شهیدبهشتی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علامه طباطبایی 1390
  امید سلطانی   احمدعلی یزدان پناه

پژوهش حاضر با هدف ارزیابی رابطه برنامه ریزی راهبردی با انعطاف پذیری موسسات آموزش عالی به اجرا درآمد. جامعه آماری این پژوهش را کلیه مدیران، اعضای هیات علمی و کارشناسان متولی برنامه ریزی راهبردی دانشگاه شهید بهشتی تشکیل دادند. به منظور گردآوری اطلاعات از ابزار پرسشنامه و جهت تحلیل داده ها از مدل معادلات ساختاری به روش حداقل مربعات جزئی،آزمون t و ضریب همبستگی و رگرسیون استفاده گردید. براساس یافته های پژوهش برنامه ریزی راهبردی بر انعطاف پذیری، و انعطاف پذیری بر عملکرد اثر مثبت و معناداری داشته و نقش واسطه ای انعطاف پذیری در ارتباط مابین برنامه ریزی راهبردی و عملکرد مورد تایید قرار گرفت.همچنین انعطاف پذیری پژوهشی بر عملکرد مالی و ابعاد انعطاف پذیری ساختاری و انعطاف پذیری تکنولوژیکی بر عملکرد غیرمالی تاثیر مثبت و معناداری دارند.اما نتایج حاصل از بررسی ارتباط انعطاف پذیری آموزشی و مالی بر عملکرد مالی و نیز ارتباط عملکرد غیرمالی با عملکرد مالی از تفاوت معناداری برخوردار بوده و رابطه مثبت و معناداری ندارند. براین اساس برنامه ریزی راهبردی دانشگاه شهید بهشتی موجب افزایش انعطاف پذیری و در نهایت بهبود عملکرد آن گردیده است.

بررسی بازتاب شاهنام? فردوسی در آثار بهار، کسرایی و معینی کرمانشاهی بر اساس نظری? ترامتنیت
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علامه طباطبایی - دانشکده ادبیات و زبانهای خارجی 1392
  امید سلطانی   داوود اسپرهم

ملک الشعرای بهار، سیاوش کسرایی و رحیم معینی کرمانشاهی از جمل? شاعرانی هستند که متأثر از شاهنامه خلقِ اثر کرده اند.

خواص الکترونیکی نانوساختارهای سیلیسنی: با روش تنگ-بست چند نواری
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک 1394
  امید سلطانی   روح اله فرقدان

در این پایان نامه ما به منظور بهبود خواص الکترونیکی و کاربردی به بررسی نانوساختارهای سیلیسنی با استفاده از مدل تنگ-بست چند باندی می پردازیم. با استفاده از فرمول بندی اسلیتر و کوستر در مدل تنگ-بست به بررسی و تحلیل باندهای پیوندی سیگما و پای در نانوساختارهای سیلیسنی از جمله نانو نوارها، پولک های سیلیسنی و یک صفحه ی سیلیسنی خواهیم پرداخت. نقش تمامی پیوندها را در خواص الکترونیکی این نانوساختارها مورد بررسی قرار خواهیم داد. همچنین، به دلیل نزدیکی نتایج تئوری به تجربی و کاربردی بودن نتایج به بررسی نقص تهی جای بر خواص الکترونی نانوساختارهای سیلیسنی و نقش آلایندگی در این نانوساختارهای می پردازیم. تغییرات خواص الکترونیکی نانوساختارهای سیلیسنی را تحت اثر آلایندگی نیتروژن و هیدروژن مورد بررسی قرار می دهیم. نشان خواهیم داد که می توان با استفاده از آلایندگی مطلوب به دلیل کنترل پذیر بودن گاف انرژی در این نانوساختارها، از آن ها در طراحی ترانزیستورهای اثر میدانی بهره برد. همچنین تغییرات ناشی آلایندگی نیتروژن و هیدروژن بر روی باندهای پیوندی سیگما می تواند نقش موثری در تغییر خواص اپتیکی سیستم داشته باشد. بنابراین ترانزیستوهای اثر میدانی مبتنی بر نانوساختارهای سیلیسنی می تواند به عنوان ترانزیستور اثر میدانی در دمای اتاق فعالیت کند.