در این پایان نامه ما به بررسی روش های عملی ساخت تماس های اهمی بین فلز و نیمه هادی و کاهش مقاومت تماس بین آنها به منظور کاربرد در افزاره های نیمه هادی به ویژه سلول های خورشیدی پرداخته ایم. در ابتدا به فیزیک حاکم بر مسئله اشاره شد و سعی کردیم تا علت ناکارآمد بودن دقیق تئوری را در بعضی موارد روشن کنیم و بعد از آن به راهکارهای عملی ایجاد تماسهای با کیفیت بالا پرداخته ایم. لایه نازک cr و اکسید ایندیوم آلاییده شده با قلع (ito) را جهت ساخت اتصال فلزی با کیفیت بسیار بالا (هم از نظر مقاومت تماس پایین و هم از نظر پایداری تماس ) مورد بررسی و مطالعه قرار داده ایم. که برای این امر لایه های نازک کروم به روش کندوپاش بر روی زیر لایه ito لایه نشانی کرده ایم. مقاومت تماس، مقاومت تماس ویژه و مقاومت ویژه سطحی را جهت بررسی خواص الکتریکی آن اندازه گیری و اثر تغییر پارامترهای مختلف، از قبیل اثر ضخامت، تغییر توان rf دستگاه لایه نشانی و تغییر شار گاز آرگون در لایه نشانی و گرمادهی بر روی نمونه ها مورد بررسی قرار گرفت. لایه های نازک کروم در سه ضخامت 150،300 و600 نانومتر بر روی زیرلایه ito ایجاد شدند و کمترین مقاومت تماس ویژه در اتصال لایه نازک کروم 600 نانومتری بر ito به دست آمد. لایه نشانی در توان های rf 100،150،200،250و300 وات نیز صورت گرفته است و مقاومت تماس و مقاومت تماس ویژه در این حالت نیز محاسبه گشته و بهترین نتیجه برای لایه ی نشانده شده در توان 150 وات گرفته شد. در مرحله بعد به بررسی تغییرات شار گاز آرگون 10،30،50 و70 sccm پرداخته و کمترین مقدار مقاومت تماس را برای اتصال ایجاد شده در شار گاز 10 sccm گزارش نمودیم. آنالیز xrd برای بررسی ساختار بلوری و آنالیز میکروسکوپ الکترونی sem برای بررسی ساختار سطحی لایه های نازک کروم مورد استفاده قرار گرفته اند.