در دهه ی اخیر، نانوسیم های آلیاژی مغناطیسی مرکز توجه بسیاری از فعالیت ها واقع شده اند که به دلیل کاربردهای وسیع شان در زمینه های مختلف به خصوص دستگاه های ضبط مغناطیسی با چگالی فوق العاده بالا، gmr و ... می باشد. در این پروژه به ساخت و توصیف مشخصه های نانوسیم های سه آلیاژی مغناطیسی cofezn پرداخته شده است. روش ساخت این نانوسیم ها مشتمل بر دو بخش است:1) تهیه قالب آلومینیوم آندی به روش آندیزاسیون نرم دو مرحله ای و 2) رسوب محلولی شامل سولفات های fe، co و zn درون حفرات به روش الکترونهشت جریان پالسی و متناوب. تأثیر غلظت های مختلف zn در الکترولیت، افزایش زمان خاموشی میان پالس ها و اعمال تابکاری بر خواص مغناطیسی، ساختاری و ترکیب آلیاژی نانوسیم ها بررسی شدد. الگوهای xrd ساختار hcp zn را در نانوسیم ها نشان داد در حالی که پس از تابکاری فاز متبلور zn ذوب و قله ی متناظر با ساختار bcc cofe ظاهر می شود. انـدازه گیری حلقه های پسماند مغناطیسی در دو حالت میدان مغناطیسی اعمالی موازی و عمود بر محور سیم، ثابت کرد که نانوسیم ها دارای ناهمسانگردی مغناطیسی عمودی قوی با محور آسان مغناطشی در راستای محور سیم می باشند و به دلیل عدم حضور ناهمسانگردی مغناطوبلوری، تقویت ناهمسانگردی توسط افزایش ناهمسانگردی-های شکلی و تنشی توضیح داده می شود. این مزیت، نانوسیم های آمورف را تبدیل به کاندیدای خوبی برای سیستم های ضبط مغناطیسی عمودی با چگالی بالا نموده است. اعمال تابکاری موجب بهبود چشمگیر خواص مغناطیسی نمونه ها می شوند، مثلاً در نانوسیم های co34fe27zn39 سبب افزایش میدان وادارندگی از 700 به oe2500 شده است. همچنین معلوم شده است که آلیاژهای توده ای zn با فلزات گروه آهن(یعنی fe، co و zn) مقاومت خوردگی و پوششی فوق العاده ای دارند و در صنایع مختلف به خصوص صنعت خودرو بسیار کاربرد دارند. در نمونه های ما رفتار نهشت نابهنجار که در آلیاژهای توده ای zn با فلزات گروه آهن گزارش شده، مشاهده شده است یعنی طبق آنالیز edx مقدار zn در نانوسیم ها نسبت به مقدار آن در الکترولیت بیشتر می باشد.