در این رساله یک ساختار دوقطبی جانبی دوامیتری متقارن (sdelbjt) براساس فناوری soi طراحی شده است. این ترانزیستور دارای یک پایه دیگر به نام گیت است که با استفاده از آن می توانیم بهره جریان های متفاوت داشته باشیم، به این صورت که با اعمال ولتاژ به گیت عرض بیس آن تغییر می کند و باعث می شود برخورد حامل ها در بیس کمتر شده و راحتتر از امیتر به بیس بروند و در نتیجه بهره جریان تغییر می کند. شبیه سازی هایی که در این رساله با نرم افزار silvaco انجام شده است نشان می دهد که بهره جریان تا حدود 10 برابر می شود. بهره این ترانزیستور بدون ولتاژ گیت حدوداً 200 است و با تغییرات ولتاژ گیت تا حدود 2000 هم می رسد، که می تواند کاربردهای متفاوتی داشته باشد. در این رساله توزیع ناخالصی ها طوری طراحی شده است که بهترین بهره جریان، ولتاژ شکست و فرکانس قطع ومقاومت خروجی را داشته باشیم و یک توازن بین آنها را برقرار کنیم که در آن ولتاژ شکست v7 و فرکانس قطع ghz 5 و مقاومت خروجی k?? 15 می باشد. این قطعه هیبرید چهار پایه ای می تواند برای مدارهای خاصی مثل میکسرها و تقویت کننده ها با بهره متفاوت (vga) به کار رود و بازده خوبی داشته باشد.