با توجه به کاربرد روز افزون لایه های نازک در قطعات الکترونیکی و محصولات فناوری های مدرن، آشنایی بیشتر با خواص لایه های نازک ضروری به نظر می رسد. از آنجا که خواص لایه های نازک به ساختار ریز آنها وابستگی شدید دارد، بنابراین بررسی میکروساختار و نانوساختار این گونه لایه ها با کیفیت بهتر خواهد شد. ازجمله خواص میکروساختاری لایه های نازک درجه تبلور، جهت گیری ترجیهی، اندازه دانه ها، میزان تنش و کرنش ایجاد شده در این لایه ها می باشد. در این پایان نامه توجه زیادی به تنش ایجاد شده در لایه های نازک که یکی از مهمترین خواص میکروساختاری آنها می باشد معطوف شده است و به محاسبه تنش پسماند و اندازه-گیری آن به روش تجربی با استفاده از دستگاه پراش اشعه ایکس (xrd) پرداخته شده است. در این تحقیق از لایه نازک نیکل با ضخامت تقریبی 12 تا 20 نانومتر لایه نشانی شده بر روی سیلیسیوم نوع استفاده شده است. همچنین تنش پسماند در لایه های نازک فوق-الذکر بر اساس معادلات استونی و قانون براگ محاسبه گردیده که نتایج بدست آمده مطابقت بسیار خوبی بین داده های تجربی و نظری را نشان می دهد.