در سالهای اخیر ، رشد و توسعه تجهیزات مخابرات سیار و سیستم های قابل حمل سبب شده محققان و طراحان rf بر روی مدارات با ولتاژ و توان مصرفی کم تمرکز بیشتری داشته باشند . امروزه اکثر سیستم ها به صورت بیسیم می باشند و کاهش توان مصرفی امری ضروریست که سبب افزایش طول عمر باطری می شود . یکی از مهمترین بخش های گیرنده تقویت کننده کم نویز است که به عنوان اولین طبقه هر گیرنده محسوب می شود . مهمترین ویژگی lna عدد نویز کم و گین بالاست . عدد نویز این تقویت کننده به صورت مستقیم به عدد نویز کل گیرنده اضافه می شود . برای سیستم های بیسیم با برد کم مثل wlan ، طول عمر باطری اهمیت بیشتری دارد . در این پروژه چندین مدار lna با ولتاژ و توان مصرفی کم طراحی و شبیه سازی شده است . دو ساختار folded cascode ، یکی با رویکرد ولتاژ و توان مصرفی فوق العاده کم و دیگری با گین بالا نویز کم و ولتاژ کم در فرکانس کاری gps طراحی و شبیه سازی شده است . یکی از روشهای افزایش گین، استفاده از تکنیک gm-boosting می باشد. این تکنیک بر روی ساختار folded cascode پیاده سازی شده است. همانطور که می دانیم با استفاده از تکنیک دژنراسیون سلفی ، رسیدن به بخش حقیقی? 50به راحتی امکان پذیر است اما گین مدار کاهش می یابد و برای جبران آن باید توان بیشتری مصرف شود . حال اگر از مقاومت پارازیت گیت برای تطبیق امپدانس ورودی استفاده شود ، هدایت موثر انتقالی ترانزیستور افزایش یافته و گین مدار بهبود می یابد . ساختارهای جدیدی معرفی شده که ولتاژ و توان کمی مصرفی می کنند که برای کاربرد در سیستم های wlan طراحی و شبیه سازی شده اند.