از آنجاییکه جفت شدگی اسپین-مدار در گرافین بسیار ضعیف است و طول واهلش اسپینی در نمونه های آلاییده و دمای اتاق در حدود ‎$ 1 ‎mu‎ m $‎ ‎‎‎ است. انتظار می رود نمونه های‎‎ خالص دارای طول واهلشی بلندتری باشند. این امر سبب می شود گرافین به یک کاندیدای مناسب برای کاربردهای اسپینترونیک مبدل شود. از سوی دیگر گرافین به صورت ذاتی خواص مغناطیسی ندارد. بنابرا‎‎ین می توان خواص فرومغناطیسی‎‎ را به صورت خارجی به وسیله آلاییدن یا استفاده از میدان الکتریکی خارجی تولید کرد. اخیرا هوگن ‎‎‎‎ بر هم کنش فرومغناطیس برپایه ی مجاورت گرافین با حالتهای مغناطیسی را پیشنهاد کرد. در اثر این مجاورت یک میدان تبادلی روی الکترونهای سیار در گرافین القا می شود و به شکافتگی اسپینی در ترابرد منجر می شود. در اینجا ترابرد اسپینی از میان یک پیوندگاه گرافین دو لایه نرمال/فرومغناطیس/نرمال که یک ولتاژ گیت روی گرافین فرومغناطیس به کاربرده شده است را محاسبه می کنیم. برای پیکربندی موازی لایه های فرومغناطیس دو لایه گرافین ساختار نوار گرافین فلزی است و قطبش اسپینی در حالتهای تشدیدی به مقدار ماکزیمم خود می رسد. در حالیکه برای پیکربندی پادموازی، پیوندگاه به صورت نیمرسانا رفتار می کند و فیلتر اسپینی رخ نمی دهد. در نتیجه ‎به‎‎‎ یک مقاومت مغناطیسی ماکزیمم دست خواهیم یافت.