سیلیکن کاربید (sic) یک ماده نیمه هادی باند بزرگ با خواص ماده بسیار خوب برای الکترونیک فرکانس بالا، توان بالا و دمای بالا است. در این رساله ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی sic با ساختارهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است و مشخصه های dc و فرکانس بالای افزاره ها مانند، جریان اشباع درین، ولتاژ شکست، حداکثر توان خروجی، فرکانس قطع (ft) و حداکثر فرکانس نوسان (fmax) با هم مقایسه شده است. در این کار سه ساختار جدید با استفاده از ساختارهای گیت فرورفته و تورفتگی کانال و استفاده از کانال دو لایه به جای تک کانال پیشنهاد شده است. در ساختار کانال دو لایه با استفاده از دو لایه کانال با آلایش متفاوت به جای یک کانال بهبود خوبی در مشخصه های dc افزاره مشاهده گردید، همچنین استفاده از چند تورفتگی در کانال بهبود قابل ملاحظه ای در مشخصه های dc و rf افزاره sic mesfet نشان می دهد. استفاده از ترکیب دو ساختار بالا نیز بهبود بسیار بالایی در ولتاژ شکست به ما می دهد.