در دو دهه اخیر استفاده از ارتباطات بی سیم افزایش چشم گیری داشته است و به علت اشباع استفاده از فرکانس های کم، استفاده از فرکانس های بالا در دستور کار اغلب تولید کنندگان سیستم های ارتباطی قرار گرفته است. قطعات mems از جمله سوئیچ های mems به دلایل عدیده ای مورد توجه تولیدکنندگان سیستم های rf فرکانس بالا (بیشتر از ghz) قرار گرفته است. قطعات mems با توجه به اینکه مزایای زیادی از جمله تلفات کم، رفتار خطی، وزن کم، قیمت کم و خصوصاً قابلیت مجتمع شدن با سایر قسمت های مدار های الکترونیکی را داشته باشد، می تواند در مدارات rf به کار برده شود. برای مثال سوئیچ های rf mems در ارتباطات، مخصوصاً ارتباطات ماهواره ای و سیستم های رادار استفاده می شوند. یکی از مشکلاتی که در طراحی سوئیچ های mems وجود دارد، ندانستن مدل دقیقی از رفتار سوئیچ به ازای تغییر پارامترهای اساسی سوئیچ است. تعین یک مدل دقیق می تواند راه گشای بسیار مطمئنی برای طراح مدار باشد و علی رغم اینکه این مشکل طراحی که باید زمان زیادی صرف رسیدن به خواسته های مورد نظر شود را برطرف می کند، نیاز به اندازه-گیری های پرهزینه و معمولاً در مواردی غیر ممکن را مرتفع می کند. حتی در فرایند ساخت می توان از مدل الهام گرفت و برای کاربردهای متفاوت، سوئیچ مناسب را تولید کرد. لذا در این پروژه از شبکه عصبی مصنوعی که خلق آن در علوم برق و کامپیوتر و استفاده از آن در مورد سیستم های کنترل هوشمند بسیار نمود پیدا کرده است، برای به دست آوردن مدل دقیقی از پارامترهای پراکندگی سوئیچ در هر دو حالت قطع و وصل ارائه شده است که می توان با استفاده از این مدل در کمتر از چند ثانیه مدل دقیقی از رفتار سوئیچ و با هدف به دست آوردن خواسته های مطلوب طراحی کرد. در ادامه ساختاری برای سوئیچ mems پیشنهاد شده که علاوه بر داشتن ولتاژ تحریک کم، دارای پهنای باند وسیعی می-باشد و همچنین پارامترهای فیزیکی طوری بهینه شده اند که سوئیچ از پایداری و قابلیت اطمینان بالایی برخوردار باشد.