در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبga1-xalxas ‎ به ازای ‎x=0, 0.25, 0.75, 1‎ با استفاده از اصول اولیه و روش نظریه تابعی چگالی مطالعه شده است. این بررسی ها با استفاده از محاسبه انرژی کل و از طریق روش امواج تخت تقویت شده خطی (fp-lapw) که بر پایه نظریه تابعی چگالی dft هوهنبرگ-کوهن شم استوار است، به کمک کد wien2k صورت گرفته است. در ارتباط با برهمکنش های پتانسیل همبستگی تبادلی از تقریب چگالی موضعی lda و تقریب گرادیان تعمیم یافته gga بهره جسته ایم.‎‎ محاسبات نشان داد که با افزایش مقدار آلومینیوم (x) در ترکیب، اندازه گاف بزرگتر می شود و به ازای مقادیر ‎ x=0.42‎ گاف انرژی از حالت مستقیم در راستا‎ی ‎gamma-gamma ‎‎به غیر مستقیم در امتداد ‎x-gamma‎ تبدیل می شود. نتایج بدست آمده برای gaas یک گاف نواری مستقیم در امتداد gamma-gamma به بزرگی 1.1ev و برای alas یک گاف نواری غیر مستقیم در امتداد x-gamma‎‎‎ به مقدار 2.1ev را نشان می دهد. بررسی خواص اپتیکی نشان می دهد که ضریب شکست با افزایش مقدار آلومینیوم (x) در ترکیب کاهش پیدا می کند، به طوری که مقدار آن برای gaas 3.22 و برای alas 2.8 بدست آمد. با استفاده از طیف اتلاف انرژی الکترون، انرژی پلاسمون برای ترکیب ‎ga1-xalxas را در حدود 15.4ev‎‎ بدست آوردیم.