امروزه حسگرهای گازی مبتنی بر سیلیکون متخلخل مورد توجه زیادی قرار گرفته اند. از مهمترین مزیت های این قطعات در مقایسه با حسگرهای اکسید های فلزی آن است که می توانند با بهره نسبتا بالا در دمای اتاق کار کنند. هدف ما در این تحقیق تجربی ساخت و مشخصه یابی حسگرهای گازی بر پایه سیلیکون متخلخل می باشد که بر اساس تغییرات مشخصه الکتریکی جریان-ولتاژ در دمای اتاق کار می کند. نمونه های ما در این تحقیق به روش الکتروشیمیایی و بر روی ویفر سیلیکون بلورین (100) نوع p ساخته شده و سازوکار جذب گازهای مختلف از جمله دی اکسید کربن و نیز گازهای آلی همچون استون، متانول و اتانول مورد بررسی قرار گرفته اند. در این مورد پارامترهای گوناگون شامل غلظت اسید (hf) در محلول، چگالی جریان اعمال شده و زمان آنودیزاسیون بر میزان تخلخل سطح نمونه ها مطالعه شده است. در این تحقیق از مشخصه یابی های وابسته به تصویر برداری میکروسکوپ الکترونی (sem) و طیف سنجی فوتولومینسانس (pl) به عنوان ابزاری برای مقایسه مورفولوژی سطح و میزان نسبی تخلخل در نمونه ها استفاده کرده ایم. نتایج تجربی ما حاکی از آن است که میزان تخلخل سطحی نقشی کلیدی در حسگری نمونه ها داشته که بایستی با تغییر در پارامترهای رشد به شرایط بهینه دست یافت.