در این تحقیق رسانش الکتریکی و چگالی حالت های چندین نانوساختار در رهیافت بستگی قوی به صورت کاملاً تحلیلی مطالعه شده است. در ابتدا نانوساختار شانه-مانند منظم و نامنظم که متصل به دو نیم سیم کوانتومی است در نظر گرفته شده و با استفاده از بازبهنجارش انرژی این دستگاه شانه-مانند به یک زنجیر ساده تقلیل یافته است. در دستگاه شانه-مانند منظم تأثیر عواملی همچون طول دستگاه، تعداد دندانه ها و انرژی جایگاهی دندانه ها بر رسانش تونل زنی این دستگاه به کمک روش تابع گرین بررسی شده است. همچنین نوار انرژی دستگاه m شاخه ای به صورت دقیق محاسبه شده است. با مطالعه ی رسانش دستگاه شانه-مانند نامنظم، درباره ی وجود گذار فاز از عایق به فلز در این دستگاه بحث شده است. در ادامه به مطالعه ی رسانش الکتریکی و چگالی حالت های الکترونی نانوساختارهای متناوب با استفاده از روش تابع گرین پرداخته شده است. یکی از این نانوساختارها، دستگاه شانه-مانند با انرژی پرش متناوب است که تأثیر طول دستگاه و قدرت دوپارش بر رسانش این دستگاه به صورت دقیق بررسی شده است. نانوساختار متناوب دیگر یک دستگاه با انرژی جایگاهی متناوب است که یک حلقه ی بنزن در یکی از جایگاه های آن وجود دارد. با استفاده از بازبهنجارش انرژی این دستگاه حلقوی متناوب به یک زنجیر ساده تقلیل یافته است. با استفاده از محاسبه ی رسانش الکتریکی این دستگاه اثر ضد تشدیدی که مربوط به حلقه های بنزن است، در طیف رسانش الکتریکی مشاهده شده است. نتایج این تحقیق قابل کاربرد برای نانوساختارهای همچون rna و پلیمرهای پلی استیلن و پلی آنیلین و پلی پی فنیلن است، که در آینده ی نانوالکترونیک نقش مهمی را بازی می کنند.