اکسید نقره به جهت کاربردهای الکتریکی ، اپتیکی و مگنتو اپتیکی که در ذخیره کننده های اطلاعات دارد به طور گسترده مورد مطالعه قرار گرفته است. فرم های گزارش شده برای اکسید نقره عبارتند از:ago ،ag2o ،ag3o4 و ag2o3 می باشند که از این میان ag2o به لحاظ ترمودینامیکی پایدار تر است. باند گاف انرژی وسیعی که در گستره ev 2/1 تا ev 4/3 قرار دارد به تکنیک های مختلف لایه نشانی، فازهای بلوری و نسبت های شیمیایی مختلف عناصر وابسته است. در این پایان نامه ، لایه های نازک اکسید نقره که با استفاده از روش کندوپاش یونی فعال در دمای 100 درجه سانتیگراد (373 کلوین) با استفاده از مخلوط گازی اکسیژن و آرگون روی زیرلایه های شیشه ای نشانده شده اند. در حالیکه نسبت نرخ جریان گاز در ثابت نگه داشته شده است ، ولتاژ کندوپاش از 300 ولت تا 600 ولت تغییر داده شده است. ساختار و فاز لایه ها با استفاده از آنالیز پراش پرتو x بررسی شده اند. مورفولوژی سطح لایه های نشانده شده با استفاده از آنالیزهای afm و sem صورت گرفت. با توجه به داده های afm افزایش ولتاژ منجر به افزایش اندازه دانه ها و کاهش زبری سطوح می شود.ضخامت لایه ها با استفاده از ضخامت سنجی بررسی شده است. نتایج حاصل نشان می دهند که با افزایش ولتاژ ضخامت لایه ها افزایش می یابد. خواص اپتیکی لایه ها با استفاده از آنالیزهای اسپکتروفوتومتری uv-vis-nir و بیضی سنجی مورد مطالعه قرار گرفته است. با توجه به نتایج این آنالیزها با افزایش ولتاژ عبور و ضریب شکست لایه ها کاهش می یابد در حالیکه ضریب خاموشی افزایش می یابد.