مبدل های چند سطحی در زمینه های توان بالا و ولتاژ بالا کاربردهای زیادی را داشته است. هدف یک مبدل چند سطحی، ساختن یک ولتاژ سینوسی از سطوح مختلف ولتاژ dc است. مبدل های چند سطحی ساختارهای متفاوت دارند. یکی از ساختارهای مرسوم ، مبدل های چندسطحی کسکید می باشد. مبدل های چندسطحی کسکید از سری کردن h-bridge ها بدست می آید. اگر منابع تغذیه ولتاژ dc اعمال شده به تمام پل ها یکسان باشد، مبدل را مبدل چندسطحی کسکید متقارن گویند و در غیر این صورت مبدل را چندسطحی کسکید نامتقارن می گویند. از معایب مبدل های کسکید ، نامتعادلی در ولتاژ منابع dc و توان منابع در h-bridge ها می باشد. یکی دیگر از معایب مبدل های کسکید تفاوت در تلفات کلیدهای h-bridge ها می باشد. در این پایان نامه برای رفع معایب مبدل های چندسطحی کسکید از روش کنترل شارژ متعادل استفاده خواهیم کرد. ابتدا با روش کنترل شارژ متعادل توان تولیدی منابع dc را یکسان کرده و سپس ولتاژ منابع dc را تثبیت می کنیم. در ادامه امکان بکارگیری روش کنترل شارژ متعادل برای انجام هم زمان یکسان سازی توان منابع dc و تثبیت ولتاژ منابع را بررسی می کنیم. با اجرای شارژ متعادل ، منابع dc یکسان بکار رفته در ساختار مبدل توان یکسان خواهند داشت و ولتاژ منابع dc تثبیت شده و تلفات کلیدها در آنها یکسان خواهد شد. در نتیجه هزینه طراحی مبدل و هزینه نگهداری کاهش خواهد یافت. ضمنا سعی بر این خواهد بود در روش های کنترلی پیشنهادی بررسی حذف هامونیک و یا هارمونیک های انتخابی صورت گیرد. در صورت فراهم شدن امکانات آزمایشگاهی، یک نمونه عملی در رنج آزمایشگاهی برای اثبات مجدد روش های کنترلی پیشنهادی طراحی و ساخته خواهد شد.