هدف اصلی در این پایان نامه، تحلیل پاسخ نوری ابرشبکه ی متشکل از لایه های نارسانا و نیم رسانا در نزدیکی بسامد گذار نیم رسانا است. در این ناحیه از طیف، پاسخ نوری نیم رسانا به علت تشکیل زوج مقید الکترون- حفره (اکسایتون) غیر موضعی است که عرصه ی قابل توجهی در نورشناخت جامدات می باشد[8]. پاسخ نوری غیرموضعی عامل پاشندگی فضایی برانگیختگی های نیم رسانا است و از این جهت مدهای اکسایتون- پلاریتون (سطحی و حجمی) را از سایر برانگیختگی های ماده ممتاز می سازد[5]. به علت مناسب بودن برای ساختارهای تناوبی روش انتخابی برای تحلیل مسأله، روش ماتریس انتقال می باشد. با استفاده از روش ماتریس انتقال می توان اثر تشکیل ناحیه ی تهی و نیز پتانسیل سطح بر اکسایتون را، در یک لایه از نیم رسانا مورد بررسی قرار داد. در این روش با استفاده از شرایط مرزی افزوده، ماتریس انتقالی با بعد ماتریس انتقال نارسانا، برای نیم رسانا به دست می آید. تعیین این ماتریس معادل با تعیین ماتریس انتقال ساختار لایه ای دلخواه و در پی آن تعیین پاسخ نوری ساختار است. نتایج به دست آمده از محاسبات شامل ضرایب بازتاب از سطح نیم رسانا، روابط پاشندگی مدهای حجمی و سطحی برای ابر شبکه های تناوبی، شبه تناوبی و ضرایب بازتاب آن ها در دو قطبش s و p می باشند.