خصوصیات کلی تحرک پذیری وابسته به میدان الکتریکی به این صورت است که افزایش میدان الکتریکی باعث افزایش انرژی الکترون ها شده واین امر منجر به تولید فونون و افزایش پراکندگی بین آن ها می شود و در نتیجه آن تحرک پذیری کاهش می یابد. در حالت کلی تحرک پذیری در میدان های الکتریکی پایین تا رسیدن به یک میدان بحرانی ثابت باقی مانده و آن سوی میدان بحرانی با افزایش میدان الکتریکی شروع به کاهش می کند. در این تحقیق با لحاظ انرژی متناهی فونون ها در معادله موازنه انرژی دستگاه الکترون– فونون برای برهمکنش کشسان با فونون های اکوستیکی درون دره ای در دمای پایین، مشخصات تحرک پذیری وابسته به میدان الکترون ها در یک گاز الکترون دو بعدی غیر تبهگن سیلسیوم محاسبه و رسم گردید. با استفاده از روش های، تقریب دمای موثر وابسته به میدان، حل مستقیم معادله بولتزمن به روش تحلیلی و به روش عددی، تغییرات تحرک پذیری الکترون ها نسبت به میدان الکتریکی را مورد بررسی قرار داده و سپس نتایج حاصل از مدل های نظری را با داده های تجربی مقایسه کردیم. نتایج به دست آمده نشان می دهد که تحرک پذیری وابسته به میدان الکتریکی محاسبه شده از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی انطباق خوبی با داده های تحرک پذیری تجربی دارد.