در این پژوهش با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی و فرمول بندی لانداور- بوتیکر، خواص ترابرد وابسته به اسپین از طریق مولکول dna متصل شده به دو الکترود فرومغناطیسی با سطح مقطع محدود، بصورت عددی بررسی می شود. با مطالعه ترابرد همدوس وابسته به اسپین از طریق مولکول dna نشان می دهیم که مقاومت مغناطیسی تونلی(tmr) در ساختار fm/dna/fm وابسته به ولتاژ خارجی است. همچنین نتایج بدست آمده نشان می دهد که ولتاژ گیت تراز های مولکولی را جابجا می کند و جریان های اسپین موازی و پادموازی و مقاومت مغناطیسی تونلی را کنترل می کند. هدف از این پژوهش بهبود نتایج و درک صحیح از پدیده ترابرد وابسته به اسپین در ساختار های مولکولی است. علاوه بر این نتایج بدست آمده نشان می دهد که مولکول dna می تواند جایگزین مناسبی برای کاربرد در قطعات اسپینترونیکی آینده باشد.